铸锭多晶硅和非晶硅薄片的及生产工艺绪论.docx

一、多晶硅锭产业背景 太阳能电池产业是近几年发展最快的产业之一，最近5年来以超过50%的速度高速增长。 在各种类型的太阳能电池中，晶体硅太阳电池由于其转换效率高，技术成熟而继续保持领先地位，占据了90%以上的份额，预计今后十年内晶体硅仍将占主导地位。 太阳能电池产业的飞速发展，带动硅锭/硅片的需求也大增,特别是多晶硅硅锭的生产向大规模化发展，单厂生产能力已达到百兆瓦级。 虽然目前单晶硅的转换效率比多晶硅高，但两者的差距正逐渐缩短，多晶硅具有制造成本较低与单位产出量较大的优势，故多晶硅芯片在太阳能产业中未来仍将扮演主流角色。 二、多晶硅锭的组织结构 太阳能电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上，是通过定向凝固（也称可控凝固、约束凝固）过程来实现的，即在结晶过程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流(生长方向与热流方向相反），并要求液固界面处的温度梯度大于0，横向则要求无温度梯度，从而形成定向生长的柱状晶。 一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到柱状。对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分叉。而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向不如金属的直，且伴有分叉。 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 太阳能电池硅锭的生长也是一个硅的提纯过程，是基于杂质的分凝效应进行的。如下图所示，一杂质浓度为C0的组分，当温度下降至T’’时，其固液界面处固相侧的杂质浓度为C*S。 对一个杂质浓度非常小的平衡固液相系统 ，在液固界面处固相中的成分与在液相中的成分比值为一定，可表达为平衡分配系数 K=C*S/C*L其中， C*L液固界面处液相侧溶质浓度 C*S液固界面处固相侧溶质浓度 金属杂质在硅中平衡分配系数在10-4—10-8之间，B为0.8，P为0.35。 实际生产中固液界面还存在一个溶质富集层，杂质的分配系数还与该富集层的厚度、杂质的扩散速度、硅液的对流强度及晶体生长速度均有关，引入有效分配系数K’来表示： K ’ =K/[K+(1-K)exp(-Rδ/DL)] 式中:K’ 有效分配系数, K 平衡分配系数, R 生长速度cm/s, δ 溶质富集层厚度（固液界面的扩散层）cm （0.005-0.05）, DL 扩散系数cm2/s。 R或δ趋近于0，K’趋近于K时，最大程度提纯。 R趋近于∞，K’趋近于1时，无提纯作用。 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： 布里曼法 热交换法 电磁铸锭法 浇铸法 1、布里曼法（Bridgeman Method） 这是一种经典的较早的定向凝固方法。 特点： 坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相区和凝固区用隔热板隔开。 液固界面交界处的温度梯度必须0，即dT/dx0，温度梯度接近于常数。 长晶速度受工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度接近于常数，长晶速度可以调节。 硅锭高度主要受设备及坩埚高度限制。 生长速度约0.8-1.0mm/分。 缺点：炉子结构比热交换法复杂，坩埚需升 降且下降速度必须平稳，其次坩埚底 部需水冷。 2、热交换法 是目前国内生产厂家主要使用的一种炉型。 特点： 坩埚和热源在熔化及凝固整个过程中均无相对位移。一般在坩埚底部置一热开关，熔化时热开关关闭，起隔热作用；凝固开始时热开关打开，以增强坩埚底部散热强度。长晶速度受坩埚底部散热强度控制，如用水冷，则受冷却水流量（及进出水温差）所控制。 由于定向凝固只能是单方向热流（散热），径向（即坩埚侧向）不能散热，也即径向温度梯度趋于 0，而坩埚和热源又静止不动，因此随着凝固的进行，热源也即热场温度（大于熔点温度）会逐步向上推移，同时又必须保证无径向热流，所以温场的控制与调节难度要大。 如简图所示，液固界面逐步向上推移，液固界面处温度梯度必须是正值，即大于0。但随着界面逐步向上推移，温度梯度逐步降低直至趋于0。从以上分析可知热交换法的长晶速度及温度梯度为变数。而且锭子高度受限制，要扩大容量只能是增加硅锭截面积。 最大优点是炉子结构简单。 3、电磁铸锭法 特点：1、无坩埚（石英陶瓷坩埚） 2、氧、碳含量低，晶粒比热交换法小 3、利用电磁力保持硅熔体的位置，避免熔体与坩埚壁接触，提纯效果稳定。 4、锭子截面没有热交换法大,但锭子高度可达1米以上。 5、硅锭应力大，错位严重。