电介质物理导论第二章2说课.ppt

接触角是指气、液、固三相交界处的气-液界面和固-液界面之间的夹角θ，是润湿程度的量度。 　润湿过程与体系的界面张力有关。一滴液体落在水平固体表面上，当达到平衡时，形成的接触角与各界面张力之间符合杨氏公式。 几种润湿情况： 　　1）当θ=0，完全润湿； 　　2）当θ﹤90°，部分润湿或润湿； 　　3）当θ=90°，是润湿与否的分界线； 　　4）当θ﹥90°，不润湿； 　　5）当θ=180°，完全不润湿。  疏水介质:如一般非极性介质：石腊、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、石英等。 由于介质为非极性分子组成，其对水的吸引力常小于水的内聚力，故被吸附的水分在表面常呈现孤立水滴，其接触角＞90o，因此，γs较前一种情形要小得多。 而且，空气湿度对这类疏水介质的表面电导率γs的影响是不敏感的，例如聚苯乙烯，接触角为98o，当湿度为0％时，γs＝2×10－18S；当湿度为98％时，γs＝3.3×l0－16S。但对亲水介质，例如高频瓷，接触角θ＝50o，当湿度为0％时，其γs＝l×10－16S；但当湿度为8％时，γs＝1×10－13S。 §2—6 直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗 以上几节的讨论，都在实际介质材料并非理想绝缘体的前提下，导出了因介质中各种导电机构引起的漏导电流或泄漏电流(Leaking current)，这种电流是贯穿整个介质的，且由于它的存在，不可避免地会发生能量的损耗。其损耗的能量主要转化为电介质的发热。直流电压下介质消耗的功率为 式中I为漏电流；U为加在两电极间的直流电压；R为介质的绝缘电阻，它是漏电导G的倒数，即：R＝1/G 或 G＝1/R 在工程上，绝缘电阻R是通过漏电流的测量结果，利用R＝ U／I关系来确定。 外加电压是可以精确确定的量， 漏电流值则是难以精确确定的量，是按时间t逐渐衰减而趋近 于不随时间变化的漏导电流的，理论上应认为只有在电介质加 上电压后无限长时间所测出的电流才是漏电流。 然而，这在实际上是难以达到的，一般规定加电压后经一分钟 来测定电流值，作为确定绝缘电阻的依据。此则虽有一定误差， 但不致造成过大的偏差。 绝缘电阻可根据下式决定： 因此，在直流电场下的电介质，单位时间所放出的(转化为 介质发热)能量，决定于电介质的品质参数——体积电导率γv。 但是，由于在交变电场下，介质所放出的能量要比直流电场下放 出的能量大许多倍，所以在通常情况下，只计及交流电场下的介 质损耗。 * 肖特基缺陷：如果构成离子晶体的离子半径较大，很难进入点阵间隙而形成间隙离子，但当离开晶格的离子到达晶体表面时，将构成新的晶体，且在原晶格内相应地留下了空位，这样就形成了具有单一的空穴的缺陷。由图可知，出现肖特基缺陷时，晶体体积稍有增加。 下面就肖特基缺陷和弗仑凯尔缺陷的形成，载流子的浓度、迁移率等问题分别讨论，以最后决定本征离子电导率。 (1) 肖特基缺陷与弗仑凯尔缺陷的形成 弗伦凯尔缺陷：如果在离子晶体中，含有半径较小的离子，由于热激发，可能挣脱晶格格点位置进入点阵间隙形成填隙离子，同时在点阵上产生一个离子空位，即间隙离子和点阵空穴同时成对出现。 弗仑凯尔缺陷：离子空位和填隙离子两种载流子，成对出现。 肖特基缺陷：载流子只有离子空位。 要计算载流子的浓度，实际上只需要分别计算两种缺陷的浓度即可。它们都可以用统计物理的方法加以确定。 肖特基缺陷浓度（晶体点阵上的离子空位浓度） 形成一个肖特基缺陷所需要的能量；N为晶体点阵上的离子浓度。 弗仑凯尔缺陷浓度（填隙离子数或空位数） 晶体点阵上离子移到点阵间形成填隙离子 和离子空位所需的能量, N’为晶体点阵间的位置浓度 (2) 载流子的浓度和迁移率 形成一个肖特基缺陷所需要的能量为us ； 形成一对填隙离子和空位点所需要的能量为uf 肖特基缺陷浓度ns、弗仑凯尔缺陷浓度nf都是温度的指数函数，当温度T升高时激剧增大。 晶体中究竟会出现何种形式的晶体缺陷，主要取决于晶体结构的紧密程度。 晶体结构紧密时，由于us《uf， 形成肖特基缺陷的可能性大， 此时的导电载流子即为离子空位。 如果晶体结构比较松散时，uf《us， 则形成弗仑凯尔缺陷的可能性大， 此时的导电载流子便是填隙离子和离子空位。 一般说来，在晶体中，以上两种缺陷都会同时发生， 但哪一种缺陷占优势，取决于us和uf的量值。 以上两种载流子在电场作用下迁移的机理与液体中离 子电导机理相似，因此，它们的迁移率可以应用与推求液 体离子电导迁移率相似的方法和步骤来导