电阻应变式传感器-霍婷婷说课.pptVIP

0 第3章 应变式传感器 * 要求掌握 电阻应变传感器的基本原理 应变——电阻 之间的关系 压阻效应 半导体应变传感器：应变——电阻 之间的关系 测量电路，平衡条件，输出电压公式推导 测量电路的灵敏度 弄清：应力——应变——电阻变化——输出之间的关系 * 3.1 电阻应变片式传感器 第一节 电阻应变片的基本工作原理 1、导电材料的应变电阻效应 2、电阻应变片的结构与类型 第二节 电阻应变片主要特性及参数 第三节 测量电路 1、直流电桥 2、交流电桥 * 第一节 电阻应变片的基本工作原理 1、导电材料的应变电阻效应 * * 公式推导 可以看出,电阻值的相对变化率dR/R取决于三个基本因素: (1)电阻丝的电阻率相对变化量(dρ/ρ)。 (2)电阻丝长度的相对变化量(dL/L)。 (3)电阻丝截面积的相对变化量(dA/A)。 讨论电阻丝（线材）应变与电阻变化： 设纵向变化的相对变化量叫纵向应变?， ? = dl/l 横向变化的相对变化量叫横向应变?1 ， ?1 = dr/r（r为半径） dA/A——圆形电阻丝的截面积相对变化量，设r为电阻丝的半径，微分后可得dA=2πr dr，则 由材料力学可知，在弹性范围内，金属丝受拉力时，沿轴向伸长， 沿径向缩短， 令dl/l=ε为金属电阻丝的轴向应变，那么轴向应变和径向应变的关系可表示为 : 式中, μ为电阻丝材料的泊松比， 负号表示应变方向相反。 如果受拉，则L变长，截面积A（A=πr2）变小: dr/r = － ?? dA/A = －2?? 推导：dR/R:（带入全微分方程） dR/R = ?+2??＋d ?/? dR/R = ?＋2??＋d ?/? 或 dR/R = dL/L ＋2?dL/L＋d ?/? 第一项： 因形变直接引起的电阻相对变化量,常称其为尺寸效应 第二项： 因应变使电阻率变化而引起的电阻相对变化量,常称其为压阻效应 将? = dL/L带入有 金属材料灵敏系数k0 灵敏系数为单位应变所引起的电阻相对变化，它受两个因素影响： 1.是受力后材料几何尺寸变化所引起， 即(1＋2?)项； 2.是受力后材料电阻率变化所引起的，即(d ?/?)/?项。 dR/R = ?＋2??＋d ?/? 电阻率变化 电阻率变化是因材料发生变化时，其自由电子活动能力和数量均发生变化的缘故，也是因体积变化而造成的，即有: d ?/? = c dV/V 式中,c是一个常数，取决于材料成分 V为体积：V＝AL dV/V = dA/A＋dL/L = (1－2?) dL/L 即: d ?/? = c (1－2?) dL/L 带入上式得: k0 = (1＋2?)＋c (1－2?) 一般金属材料电阻丝在一定变形范围内，μ约0.3－0.5,k0第一项约为1.6-2.0，第二项近似为0。灵敏系数k0为常数。 第一项是应变引起,第二项因电阻率而引起，可以忽略。 电阻变化反映应力的变化。 2、电阻应变片的结构与类型 * 大 类 分类方法 应 变 片 名 称 金属 应变片 敏感栅结构 单轴应变片；多轴应变片 基底材料 胶基应变片；金属基应变片；浸胶基应变片；纸制应变片 制栅工艺 丝绕式应变片；短接式应变片；箔式应变片；薄膜式应变片 使用温度 低温应变片（-30℃以下）；常温应变片（-30～60℃）； 中温应变片（+60～+350℃）；高温应变片（+350℃以上） 安装方式 粘贴式应变片；焊接式应变片；喷涂式应变片；埋入式应变片 用 途 一般用途应变片； 特殊用途应变片（水下、疲劳寿命、抗磁感应、裂缝扩展等） 半导体应变片 制造工艺 体形半导体应变片；扩散硅型半导体应变片； 薄膜型半导体应变片；N-P元件半导体型应变片 应变片按敏感栅的材料可分为金属应变片和半导体应变片两大类，见下表： 具有初始电阻值R的（金属）应变丝粘贴于试件表面时，试件受力引起的表面应变，将传递给应变片的敏感栅，使其产生电阻相对变化ΔR/R。 实验证明，在一定的应变范围内，有下列关系： （式2-12） 式中： εx 应变片轴向应变（测量的主应变方向） K=ΔR / (Rεx) 应变片的灵敏系数（应变片包括：应变栅、基底、粘合剂） 它表示在被测试件上的应变片，在其轴向受到单向应力时引起的电阻相对变化（ΔR/R），与此单向应力引起的试件表面轴向应变（εx）之比。 （1）灵敏系数 K（标定灵敏系数