Chapter7金属固态相变讲课.pptVIP

一、均匀形核 与液态金属结晶相比，固态相变的阻力增加了一项应变能。接经典形核理论，系统自由能总变化为： 式中 ΔG--- 系统自由能总变化； ΔGv--- 体积自由能变化； ΔGσ--- 界面能； ΔGE--- 应变能。 驱动力和阻力各是什么，各项的正负号? 二、非均匀成核 金属固态相变多为非均匀成核，各种晶体缺陷均可作为成核位置，缺陷储存的能量可使成核功降低，因而比均匀成核要容易得多。核胚在晶体缺陷处形成时，系统的自由能变化为： -ΔGd是非均匀形核时由于晶体缺陷消失而释放的能量。因此，将导致临界形核功降低，从而促进形核过程。 （一）空位 加速扩散过程（较大），释放自身能量（较小）。 空位群崩塌成位错而促进形核。 （二）位错 (1) 形核处位错线消失时所释放出来的能量作相变驱动力，以降低形核功。 (2)新相形核时位错并不消失，而依附于新相界面上构成半共格界面上的位错部分，以补偿错配，降低应变能，使形核功降低。 (3)溶质原子在位错线上偏聚，使溶质含量增高，便于满足新相形成时所需的成分条件，使新相晶核易于形成。 (4)位错线可作为扩散的短路通道，降低扩散激活能，从而加速形核过程。 (5)位错可分解形成由两个部分位错与其间的层错组成的扩展位错，使其层错部分作为新相的晶胚而有