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材料 1)按原子组合方式 (1)金属 (2)陶瓷 (3)聚合物 2)按原子排列情况 (1)晶体 (2)非晶体 2、化学键 1)共价键（一次键） 2)离子键（一次键） 3)金属键（一次键） 4)范德瓦尔键（二次键） 5)氢键 3、1)共价键 (1)有方向性 (2)脆性 (3)绝缘 (4)坚硬 (5)熔点高 2)离子键 (1)无方向性 (2)无饱和性 (3)固态时导电性差 (4)脆性 (5)熔点较高 3)金属键 (1)无方向性 (2)无饱和性 (3)良好的延展性 (4)良好的导电、导热性 4、1)金属材料→金属键 2)陶瓷材料→离子键、共价键 3)高分子材料→(1)键间：范德瓦尔键 (2)键内：共价键 注：金属化合物Mg3Sb2却表现出强烈的离子键特性。 5、原子排列 1)无序排列 2)短程有序→非晶体 3)长程有序 6、选取晶胞条件（P4） 1）晶胞几何形状充分反映点阵对称性； 2）平行六面体内相等的棱和角的数目最多； 3）当棱间呈直角时，直角数目应最多； 4）满足上述条件时，晶胞体积应最小。 7、布拉菲点阵（见书） 8、三轴坐标[U V W]与四轴坐标[u v t w]相互转化 9、立方晶系，某晶面（h k l）以[u v w]为晶带轴必有 hu+kv+lw=0 10、两不平衡的晶面的晶带轴[uvw] 11、晶面间距 正交系 立方系 六方系 12、常见金属的晶体结构 1)体心立方：α-Fe，β-Ti，Cr，Mo，W，V，Nb 2)面心立方：γ-Fe，Al，Cu，Ni，Au 3)密排六方：α-Ti，Be，Zn，Mg 13、正常价化合物 1)常见于陶瓷材料，多为离子化合物； 2)较高的硬度和脆性； 3)是主要受电负性控制的一种中间相； 4)弥散强化. 14、电子化合物 1)主要以电子浓度，其次是尺寸因素决定其结构； 2)其结合键为金属键； 3)熔点较高，硬度高，脆性大； 4)有色金属中的重要强化相； 5)其成分可在一定范围内变化. 15、间隙相 1)极高的硬度和熔点； 2)合金工具钢及硬质合金的主要强化相. 16、合金中的相结构 1)固溶体 (1)置换固溶体 (2)间隙固溶体 或(1)有限固溶体 (2)无限固溶体 2)化合物 (1)正常价化合物 (中间相) (2)电子化合物 (3)间隙相与间隙化合物 (4)拓扑密堆相 17、点缺陷 1)点缺陷 (1)肖脱基空位 (2)弗仑克尔空位 2)线缺陷 (1)刃型位错 (2)螺型位错 (3)混合位错 3)面缺陷 (1)外表面 (2)晶界 ①小角度晶界 ②大角度晶界 (3)亚晶界 (4)孪晶界 (5)相界 ①共格界面 ②半共格界面 ③非共格界面 18、点缺陷对性能的影响(P26) 金属中点缺陷的存在，使晶体内部运动着的电子发生散射，使电阻增大。点缺陷数目增加，使密度减小。此外，过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照产生的大量间隙原子-空位对)还可提高金属屈服强度。 19、伯氏矢量的物理意义及特征(P28) 1)物理意义：伯氏矢量反映出伯氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累，也表示出晶体滑移时原子移动的大小和方向。 2)特征： 伯氏矢量具有守恒性，伯氏回路任意扩大和移动中，只要不与原位错线或其他位错线相遇，回路的畸变总积累不变，由此可引申出一个结论：一根不分叉的任何形状的位错只有一个伯氏矢量。 20、位错滑移的特征(见西交大P107表4-1) 21、攀移与滑移的区别 攀移时，伴随物质的迁移，需要空位的扩散，需要热激活，比滑移需要更大的能量，攀移会引起晶体