改3.2半导体的光电效应教程方案.ppt

第二节 半导体的光电效应 光电导效应 第二节 半导体的光电效应 光伏效应 正向偏压: 反向偏压: PN结的单向导电性 光生电动势与光电流 短接 开路 接负载 第二节 半导体的光电效应 3.光电发射效应 第二节 半导体的光电效应 * * 光电导效应 光伏效应 光电子发射效应 光电转换的两个概念 光电导探测器 光伏探测器 光电子发射探测器 利用光电效应制成的光电探测器称为光子探测器 当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率变化，这种现象称为光电导效应。 非本征光电导效应 本征光电导效应 (杂质光电导效应) －－杂质吸收 －－本征吸收 本征光电导 暗电导率： 亮电导率： 光电导率： 非本征光电导 光电导率： 光电导效应 光伏效应 光电子发射效应 光电转换的两个概念 N P PN结 光 一块半导体， P区与N区的交界面称为PN结。PN结受到光照时，可在PN结的两端产生电势差，这种现象则称为光伏效应。 1)PN结的形成 扩 散 形成：耗尽区 空间电荷区 内建电场 浓度差异 E 漂 移 扩散与漂移方向相反 扩散==漂移 平衡 PN结形成 扩散---增强内建电场---阻止扩散 漂移---减弱内建电场---阻止漂移 PN结的形成 摘自教育部新世纪网络课程《电子技术》—大连海事大学制作 2)PN结能带与势垒 结合前 结合后 一个平衡系统只能有一个费米能级 E 电场力 类比: 小球滚上山坡 速度方向 重力分力 mgh 坡：内建电场 扩散：电子爬坡 漂移：电子下坡 外加电场 耗尽区宽度变小 3)PN结电流方程、耗尽区宽度与结电容 电流方程： 扩散流 外加电场 耗尽区宽度变大 漂移流 摘自教育部新世纪网络课程《电子技术》—大连海事大学制作 4)PN结光电效应 电子—空穴对分离 电子—空穴对 光 照 光生电势差 ＋ － 光电流方向 光生电动势方向 扩散流方向 光生电动势 扩散流 光电流为维持光生电动势一直持续 ＋ － 光生电动势方向 光照下PN结的电流方程： 光电流方向 扩散流方向 扩散流 光电流 科9 N P PN结 光 电池不能短接， 光照下的PN节能短接吗？ ＋ － 光生电动势=0 扩散流=0 短路光电流 ＋ － 开路光电压方向 扩散流 光电流 ＋ － 光电压方向 扩散流 光电流 R 光电导效应 光伏效应 光电子发射效应 光电转换的两个概念 金属或半导体受到光照时，电子从材料表面逸出这一现象称为光电发射效应。 －－又称外光电效应。逸出物质表面的电子叫做光电子。 光电发射第二定律（爱因斯坦定律）： 发射的光电子的最大动能随入射光子频率的增加而线性地增加，而与入射光的强度无关 光电发射第一定律： 当入射辐射的光谱公布不变时，饱和光电流Ｉ与入射的辐通量　 成正比 1)光电发射定律 爱因斯坦定律 W-逸出功 截止波长 （长波限） －－光电发射 －－本征吸收 －－杂质吸收 结论： －－截止波长对比 波长增大 光电发射 杂质吸收 本征吸收 2)金属逸出功和半导体的发射阈值 金属逸出功: 半导体发射阈值: 能够有效吸收光子的电 子大多处在价带顶附近 基本概念： 真空能级E0 电磁真空中静止电子能量（体外自由电子最小能量） 电子亲和势EA 真空能级与导带底能级之差称为电子亲和势