等离子体与固体表面相互作用原理精讲.pptVIP

等离子体合成类金刚石薄膜 等离子体合成纳米管（丝） 为什么需要低介电常数的薄膜？ 正在从微电子学到纳米电子学转变，由此带来： ? 芯片上器件的密度增加 ? 器件的工作频率增加 低介电常数的薄膜 2、等离子体材料表面改性技术 传统的离子注入技术： Plasma source 引出系统 离子束 工件 “视线”型离子束改性技术：效率低，仅适用于简单表面形状的工件 等离子体 离子流 鞘层 等离子体源离子注入(PSII)示意图 特别适用于复杂工件（如齿轮）的表面改性 3、等离子体刻蚀技术 等离子体刻蚀技术的应用 (1)超大规模集成电路的制备 (2)微电机系统 (MEMS) 的制备 MEMS在汽车工业中的应用 MEMS在人体医学中的应用 刻蚀的工艺流程 沉积薄膜 涂光刻胶 暴光 刻蚀 去胶 等离子体辅助加工过程工艺 Plasma Etching feed gases absorption Reaction with Surface Diffusion of products from surface Subsequent surface reactions desorption Material removal E-Field ions Cathode RF Power Exhaust 13.56 MHz Straight Sidewalls 离子 原子 四、等离子体与固体表面相互作用的基本过程 plasma 溅射 中性 粒子 二次电子 ALL Plasma Species Interact Strongly with the Wall substrate * 等离子体与固体表面相互作用原理 大连理工大学物理系 2004年2月 等离子体物理专业硕士生选修课程 Content Chapter 1: Introduction Chapter 2: Plasma sheaths Chapter 3: Tow-body elastic collisions in solids Chapter 4: Nuclear stopping power Chapter 5: Electronic stopping power Chapter 6: Project-range theory for energetic ions in solids Chapter 7: Sputtering physics Chapter 8: Secondary electron emission 第一章：引言 一、等离子体特性 1、成分的复杂性 对于等离子体合成薄膜及等离子体刻蚀等工艺过程，通常采用一些化学活性的气体作为工作气体。这些气体电离后含有丰富的粒子种类，如电子、离子、原子、分子、离子团、活性基团及光子。 如合成类金刚石薄膜，采用的工作气体为CH4 和H2，这样形成的Plasma中有： 如利用CF4 进行等离子体刻蚀工艺，Plasma中有： 2、荷能性 等离子体中的电子、离子及中性粒子均是携带能量的。 在低气压等离子体中，电子的温度约为几个电子伏特，离子和中性粒子的温度约为几百度。但当在基片上施加偏压时，离子的能量更高，取决与施加的偏压。 对于电弧等离子体，整体荷能，电子温度和离子温度均在上万度。 3、开放性 （1）为了维持放电或控制Plasma 的形态，通常施加外电磁场。如：微波电磁场、射频感应耦合电磁场、静磁场等。 （2）对于等离子体工艺过程，放电时要不断进气和抽气。工作气体的密度要改变。 4、时空变化性 空间非均匀性： ? 放电装置的空间尺度有限 ? 器壁、电极、基片附近的等离子体 空间非均性的宏观体现：扩散、热传导、粘滞等 时间的瞬变性：放电的初期，变化的外电磁场 5、Plasma oscillations Langmuir 振荡：是电场力和惯性力共同作用的结果。 （高斯单位制） 6、Plasma Screening 在外界扰动下，plasma中要出现电荷分离现象，产生局域电场。但这种局域电场要受到等离子体的屏蔽。 Debye Screening: 7、等离子体的基本条件 一个放电系统，要产生plasma的基本条件为： 放电时间： 放电空间尺度： 附加条件： 二、等离子体源 1、DC glow discharges 2、