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MSE 120 - 1999 第四章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 （３）由于加热器功率或热量损耗的瞬间变化引起生长速率的变化也会出现杂质条纹。 （４）由于液流状态非稳流动，熔体内温度产生规则或不规则的起伏。从而产生杂质条纹。 杂质条纹的存在使材料的微区电性质发生较大的差异，这对大规模集成电路制作不利。 消除杂质条纹的方法： （１）在一定的温度下退火； （２）采用中了嬗变法生产Ｎ型硅单晶； （３）在无重力条件下（太空实验室）； （４）磁场抑制自然对流； ２、中子嬗变掺杂 　　通常硅是由Si28 (92.21%)，Si29(4.7%)，Si30 (3.09%)三种同位素组成。将硅单晶放入原子反应堆中进行中子辐照，使Si30激活嬗变成P31起施主作用进行掺杂称之为NTD（neutron transmutation doping technique） 　　NTD优点： （１）均匀性好，纵向不均匀性小于７%，横向小５%； （２）不受分凝和小面效应的影响； （３）没有杂质条纹； ３、强磁场中拉制高均匀性的硅单晶 　　在磁场中拉制单晶（ＭＣＺ）技术改善杂质在硅单晶中分布有明显效果并对氧的分布也有一定的控制。 　　ＭＣＺ技术的基础是磁场对导电流体中的热对流的抵制作用。 （１）电学原理：导电的液体中运动，液体电流元穿过磁场，产生作用其上的安培力 　　Ｆ与电流微元的方向相反，可以阻止流体的热对流。 （２）液体电学原理：在流体力学中表征热对流常用瑞利数 　　?T是温度梯度，?为热膨胀系数，g为重力加速度，h为熔体的高度，K为导热系数，?为动黏滞系数。 　　瑞利数Ra表征浮力与黏滞力的比值。 　　由瑞利数表达式可以看出：要降低Ra，除减小液面高度h外，就是增加? 值，而高低h受设备条件的限制，只有增大? 值。 　　在单晶炉中引入横向和垂直磁场。近来采用Ｙ型磁场。 　　ＭＣＺ技术结果 （１）有效地抑制对流，加磁场使液面平整； （２）控制氧含量方便，实现硅单晶中氧含量的均匀分布； （３）基本上消除了生长条纹； 五、硅、锗单晶中有害杂质的防止 硅单晶中主要杂质 （１）重金属元素：Cu Fe Ni Mn Au Ti （２）碱金属：Li Na K （３）非金属： C O 　　　影响： （１）重金属快扩散杂质，熔解度随温度降低变小，它们容易沉积在PN结、Si-SiO界面、位错、层错等处。 （２）碱金属：能在平面工艺SiO2绝缘层膜中引入不稳定的正电荷，在硅的内表面形成空间电荷层或反型层引起表面沟道效应，产生很大的漏电流。 ４-３ 硅、锗单晶的位错 　　由于晶体生长过程常常引入应力产生很多错位。 错位类型：（１）星形结构；（２）位错排； 　　　　　（３）系属结构。 错位对晶体性能的影响是多方面的。 半导体材料 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、锗材料具有一定晶向的单晶，而且还要求具有一定的电学参数和晶体的完整性。 改变电学参数的方法： （１）制备过程中掺杂； （２）控制掺杂物在晶体中有分布。 ４-1 硅、锗晶体中杂质的性质 ４-１-１杂质能级 杂质的分类： （１）影响电性能大：杂质自身电离能低 （２）对电性能影响小：杂质自身电离能大 ４-1-2 杂质对材料性能的影响 １杂质对材料导电类型的影响能级 　　当材料中共存施主和受主杂质时，它们将相互发生补偿，材料的导电类型取决于占优的杂质。 ２杂质对材料电阻率的影响 影响半导体的电阻率的两个方面： （１）载流子密度。 （２）载流子的迁移率。 　　总的杂质浓度Ｎl =NA+ND也会对材料的电阻率产生影响，因为当杂质浓度很大时，杂质很大时，杂质对载流子的散射作用会大大降低其迁移率。 ３杂质对非平衡载流子寿命的影响 　　半导体材料中的杂质和缺陷，对非平衡载流子寿命有重要影响，特别是重金属杂质，它们具有多重能级而且还是深能级，这些能级在禁带中好像台阶一样，对电子和空穴复合起“中间站”作用，成为复合中心。 ４-２ 硅、锗晶体的掺杂 半导体材料的电学参数是用掺杂的方法来控制。 影响单晶内杂质数量及分布的主要因素： （１）原料中杂质种类和含量 （２）杂质的分凝效应 （３）杂质的蒸发效应 （４）生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污 （５）加入的杂质量 ４-２-1 直拉硅单晶体中杂技的掺入 一、掺杂量的计算 １、只考虑杂质分凝时的掺杂 直拉法生长晶体过程，实际上是一个正常分凝过程。 ? 为电子（或空穴）的迁移率 (正常分凝的杂质分布) 如果要拉w克锗，则所需加入的杂质含量m为 ２、考虑坩埚污染及蒸发的掺杂