HIT电池表面钝化的课程.ppt

* * * * HIT：Heterojunction with Intrinsic Thin-layer 研究背景 晶体硅电池 优点：转换效率高、技术成熟等 缺点：传统的高温扩散工艺限制的转换效率的提高 和成本的进一步降低 硅基薄膜电池 优点：低成本高产量 缺点：非晶硅薄膜存在光致衰退，转换效率有待进一步提高 高效、低成本太阳电池实现的可行途径 用宽带隙的非晶硅作为窗口层或发射层，单晶硅、多晶硅作衬底，形成所谓的异质结太阳电池。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点。 * HIT 电池典型结构 研究现状 目前，Sanyo公司的HIT电池实验室转换效率能达到22.3%以上， 有专家通过理论计算，预言该结构的电池理论上效率能达到25%。 * 研究内容 少子寿命 变化规律 本征层 厚度 沉积 气压 氢稀 释度 射频 功率 清洗 工艺 * 硅片规格：n型CZ125单晶硅片，晶向为100，电阻率 0.5~3Ω﹒cm，厚度约为200~220μm； 硅片处理：先制绒，然后清洗，最后氮气吹干； 沉膜系统：PECVD系统 实验过程：先在硅片的一面沉积本征非晶硅膜，然后冷 却、翻片。之后在另一面也以同样条件沉积 本征非晶硅膜，从而实现双面钝化。 测试手段：利用WT－2000PV测试钝化后硅片少子寿 命，最终通过比较少子寿命来优化本征非晶 硅膜的沉积条件。 实验方案 实验方案 * 结果与分析 少子寿命随本征层厚度变化关系曲线 ●本征层最佳厚度在10nm左右 ●厚度较小时，硅片表面悬挂键没有得到饱和 ●厚度较厚时，本征层本身固有的缺陷成为载流子的有效复合中心 * 结果与分析 ●增大工作压强，反应气体中活性粒子增多，得到高沉积速率、高质量的非晶硅膜 ●进一步增大工作压强，大量电子或离子与原子团发生碰撞，以致聚合，非晶硅膜的质量降低 ●气压过高，氢等离子体的刻蚀更加活跃 少子寿命随沉积气压变化关系曲线 * 结果与分析 少子寿命随射频功率变化关系曲线 ●功率增大，硅烷分解率提高，氢等离子体数量相对增多，悬挂键得到很好的饱和 ●功率进一步增大，硅烷分解已相对比较充分, 高功率带来的粒子轰击作用增强 ●从节能角度，低功率为宜 * 结果与分析 少子寿命随氢稀释度变化关系曲线 ●氢稀释度为零时，得到的非晶硅膜内部存在大量悬挂键 ●氢稀释度适量，可以断裂弱的Si-H键和不稳定的Si-Si键 ●氢稀释度过高，少子寿命降低，主要与外延硅的生长有关，氢含量越高，对硅表面的离子损伤越大 * 结果与分析 不同清洗工艺对应的少子寿命 * 结论 本实验采用WT-2000测试系统，分析不同沉积条件下硅片的钝化效果，结果表明： （1）本征层的厚度不宜过薄和过厚； （2）少子寿命随沉积气压和射频功率的增加均呈现先增大后减小的趋 势，要想得到理 想的钝化效果，沉积气压必须适中，从节能环保 的角度考虑，射频功率取较小值合适； （3）氢稀释能有效提高少子寿命； （4）HF/臭氧清洗方法可以使少子寿命得到很大改善，从节约成本和环 境污染的角度考虑，HF/臭氧清洗方法更有优势。 * * * * * * * * * * * * *