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Chapter 2 An Introduction to Solid State Chemistry 2.1 固体的电子结构和电性质 能带理论 (1) 自由电子模型 k空间 Schr?dinger 方程的解 Schr?dinger 方程的解 自由电子能量 k空间中自由电子能量 (2) 晶体中共有化运动的电子 准自由电子的微扰处理 能带的形成 布里渊(Brillouin)区 布里渊区特点 二维布里渊区 二维布里渊区 三维布里渊区 三维布里渊区 布里渊区中的能级数 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 布里渊区中的能级分布 Fermi（费米）能级 Fermi（费米）能级 Fermi（费米）能级 2. 晶体的一些电学性质 导体和非导体 半导体和绝缘体 (2) 半导体的导电 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 本征半导体的特征 杂质半导体 n型半导体 p型半导体 杂质半导体的特征 n型半导体的特征 n型半导体的Fermi能级位置 n型半导体的导电率 Chapter 2 An Introduction to Solid State Chemistry 2.2 固体的晶体结构 1. 简单金属 (1) 简单金属结构型式 (2) 密堆积结构 (3) 体心立方结构 (4) 各种晶体结构的基本参数 (5) 常见金属的晶体结构 2. 合金 (i) 置换型固溶体 能形成连续固溶体的体系和其原子半径偏差 有序固溶体和超格子—以Au-Cu为例 (ii) 填隙型固溶体 填隙型固溶体—例1 填隙型固溶体—例2 (2) 金属间化合物 上述的如Si, Ge等禁带宽度窄，电子可以通过热激发从价带跳到导带，这种仅仅因热激发产生导电现象的半导体称半征半导体。 本征半导体 (Intrinsic semi-conductor) 本征半导体中因电子的激发而留下空穴(hole)，空穴同电子一样也能够导电，因而可以说本征半导体中的载流子，既有电子又有空穴。 EV EC 可以证明，在某温度T下，导带中电子数为 me*为电子的有效质量，令： Nc具有导带底部能态密度的物理意义 导带中电子数与温度、导带底能量和体系的费米能级有关 可见：(EC－EF) 越大，ne越小 温度项 贡献较大, 温度越高, ne越大 EV EC 可以证明，在某温度T下，价带中空穴数为 mh*为空穴的有效质量，令： NV具有价带顶部能态密度的物理意义 价带中空穴数与温度、价带顶能量和体系的费米能级有关 EV EC 对于本征半导体：ne = nh 如me*= mh*则： 体系的费米能级位于导带和价带中间 EF EV EC 对于本征半导体：ne = nh EF EV EC 本征半导体的导电率： me和mh分别为电子和空穴的迁移率 本征半导体的导电率： lns 对1/T 应接近一条直线 me和mh一般随温度上升而下降，假定这种变化相对于指数项较小，可以忽略，则 lns 1/T 本征半导体理论预测 lns 1/T Ge3 Ge2 Ge1 Ge半导体导电率 本征半导体的性质仅在高温时显著呈现出来，常温下杂质的影响至关重要 非本征半导体其电导的来源为杂质。 杂质的来源：外来的其它种原子或离子，或化合物中某一组份化学计量的缺少。 杂质半导体的分类：n型和p型。 其中杂质效应是提供电子的传导。如Si中含P, As, Sb等杂质时，这些高价杂质进入Si的晶格，会多出1个e,　它将电离出1个电子到导带，故被称为施主(donor)。 施主也可以是阳离子过量的化合物(或阴离空位), 如ZnO (Zn1+XO)是典型半导体。而实际上ZnO中的ΔEg= 3.2ev很大，但EC-ED=0.05ev. Si Si Si Si Si Si Si Si P+ e ED EV EC Zn2+ Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2- Zn2+ e Zn2+ ED EV EC P型半导体则是提供空穴电导。例如在Si中引入B等低价杂质, 为了形成四配位，它必须接受1个电子，则会形成1个空穴，B称为受主（acceptor）。 同样某些非计量化合物也可是P型半导体，如NiO, Cu2O，其中阳离子缺位。为保持电中性，某些阳离子就必须带较多正带荷如Ni3+,Cu2+，这些相当于空穴。 Si Si Si Si Si Si Si Si B－ e+ Ni2+ Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni3+ O2- O2- EA EV EC EA EV EC 对任一n型或P型半导体，如果杂质浓度已知，在某一温度下平衡时，导带电子或满带空穴的数目可计算出