第3章逻辑门电路精讲.ppt

* 北京理工大学 信息科学学院 * §3.6 MOS门电路 3.6.1 CMOS反相器 这是N沟道增强型的MOS管。 UDD uI uO UDD uGS 1.MOS管的开关特性 * 北京理工大学 信息科学学院 * MOS管的开关等效电路(a)截止状态 (b)导通状态 * 北京理工大学 信息科学学院 * uGS uDS uDS uGS 栅极G和漏极D相对于“地”来讲是正电位，即：uGS与uDS是正电压（与参考方向一致）。iD的实际方向与参考方性也一致。 N沟道增强型MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 * 北京理工大学 信息科学学院 * N沟道增强型MOS管的转移特性 当uGS UGS(th)N时，iD=0；当uGS UGS(th)N时，iD≠0且随着uGS的增加而增大。 称UGS(th)N为NMOS管的开启电压，UGS(th)N0 。 UGS(th)N uGS * 北京理工大学 信息科学学院 * P沟道增强型MOS管的漏极特性 栅极G和漏极D相对于“地”来讲是负电位，即：uGS与uDS是负电压（与参考方向相反）。iD的实际方向与参考方性也相反。 uGS uDS uDS uGS * 北京理工大学 信息科学学院 * P沟道增强型MOS管的转移特性 uGS UGS(th)P iD O 当 uGS UGS(th)P 时，iD=0；当 uGS UGS(th)P 时，iD≠0且iD的绝对值随着uGS绝对值的增加而增大。 称UGS(th)P为PMOS管的开启电压，UGS(th)P0 。 * 北京理工大学 信息科学学院 * MOS管的特点： 输入阻抗极高（108Ω），输入端可看成开路。 MOS管是一种电压控制型器件。 在数字电路中，当uGS UGS(th)N时，NMOS管导通；当 uGS UGS(th)N时，NMOS管截止。 在数字电路中，当 uGS UGS(th)P 时，PMOS管导通；当uGS UGS(th)P 时，PMOS管截止。 单独由PMOS管或者NMOS管所构成的门电路由于其输出阻抗高、工作速度低，现在已基本上不采用。 * 北京理工大学 信息科学学院 * 2.CMOS反相器 CMOS反相器是由一个N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管组成，两管的漏极相连作为输出端，两管的栅极相连作为输入端。PMOS的源极接电源，NMOS的源极接地。 电源电压UDD UGS(th)N+ UGS(th)P 。 对4000系列的CMOS器件，UDD：3～18 v ① 当uA= 0 v（输入低电平）时： TP的uGS= -UDD，即：uGS UGS(th)P ，所以TP导通。 TN的uGS= 0 v，即：uGSUGS(th)N，所以TN截止。 于是输出uY ≈ UDD。输出高电平。 * 北京理工大学 信息科学学院 * ② 当uA= UDD（输入高电平）时： TP的uGS= 0 v，即：uGS UGS(th)P ，所以TP截止。 TN的uGS= UDD，即：uGSUGS(th)N，所以TN导通。 于是输出uY ≈ 0 v。输出低电平。 综合①、②知，这是一个反相器（“非”门）。 * 北京理工大学 信息科学学院 * CMOS反相器的特点： 静态时，无论输出高、低电平总是一只管导通一只管截止。所以CMOS在静态时从电源吸取的电流极小（理论上为0）。所以其功耗极低，一般为数μW。 CMOS只在输出高、低电平转换的瞬间才从电源吸取电流。也只有在这时CMOS才消耗功率，而且CMOS的工作频率越高、它所消耗的功率就越大。 U U U U uI CMOS在输出高、低电平转换时所消耗的电源功率叫做CMOS的动态功率损耗。 * 北京理工大学 信息科学学院 * U U U U uI CMOS反相器的特点： 动态功率损耗可由下式确定：PT = CPD · UCC2 · f PT：CMOS的动态功率损耗。 CMOS的输入阻抗极高，其扇出系数可以很大。但受输入、输出端分布电容的影响，扇出系数也不可能太大。 UCC：CMOS的工作电源电压。 f ：CMOS输出端高、低电平翻转的频率（它是输入信号频率的两倍）。 CPD：这是一个具有电容量纲的常数，一般由器件生产厂商提供。 * 北京理工大学 信息科学学院 * u U U U U U U u CMOS反相器的阈值电平与电源电压有关。UT = (1/2)UDD 。 CMOS反相器的输出高电平为UOH≥UDD – 0.05 v (UOH(min))。 CMOS反相器的输出低电平为UOL≤USS + 0.05 v (UOL(max))。USS一般为“地”电位。 对于CMOS反相器：UIL(max)≈ (1/3)UDD