固体的光学性质和光电现象教程方案.ppt

“等量子”，是指对不同的波长，以光子数计的光强是相同的，也就是说，光电导的测量是在相等的光子流下进行的； “等能量” 是指不同波长光强的能量流是相同的。 对于较短的波（每个光子能量较高），虽然能量与长波时相等，实际上包含的光子数比长波时少。 7.5 半导体的光电导 对于杂质半导体，光照使束缚于杂质能级上的电子或空穴电离，因而增加了导带或价带的载流子浓度，产生杂质光电导。 和本征光电导相比，杂质光电导是十分微弱的。同时，所涉及到的能量都在红外光范围，激发光实际上不可能很强。 （4）杂质光电导 7.5 半导体的光电导 测量杂质光电导一般都必须在低温下进行，以保证平衡载流子浓度很小，使杂质中心上的电子或空穴基本上都处在束缚状态。 例如对电离能为0.01ev的杂质能级，必须采用液氦低温；对于较深的杂质能级，可以在液氮温度下进行。（液氦和氮温度分别为4.2K和77K）。 7.5 半导体的光电导 7.6 光生伏特效应 当用适当波长的光照射非均匀半导体（p-n结等）时，由于内建电场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压）；如将p-n结短路，则会出现电流（光生电流）。这种由内建电场引起的光电效应称为光生伏特效应。 光生伏特效应 （1） p-n结光生伏特效应 用适当波长的光垂直照射p-n结面 能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收在结的两边产生电子–空穴对 在光激发下，多数载流子浓度一般改变很小，而少数载流子浓度却变化很大，因此应主要研究光生少数载流子的运动。 光生少数载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区运动，p区电子向n区运动； 7.6 光生伏特效应 RL I - - - mA V + + + P N 内建电场 在n区聚积负电荷，p区聚积正电荷，于是n区和p区之间出现电位差，这就是p-n结的光生伏特效应。 由于光照在p-n结两端产生光生电动势，相当于在p-n结两端加正 向电压V，使势垒降低 为 ，产生正 向电流IF 。如图7-22 7.6 光生伏特效应 7.6 光生伏特效应 RL + - V hν I IF p n E IL （2） 光电池的电流电压特性 光电池工作时，共有三股电流： 光生电流IL：由于光照产生的载流子在p-n结内各自向相反的方向运动而产生。 正向电流IF ：由于光照在p-n结两端产生光生电动势V 。 流经外电路的的电流I 其中IL和IF流经p-n结内部，但方向相反。 7.6 光生伏特效应 通过结的正向电流IF 其中，V是光生电压， Is是反向饱和电流 光生电流IL 其中， A是p-n结面积，q是电子电量， 表示在结的扩散长度 内非平衡载流子的平均产生率。 7.6 光生伏特效应 V E hν RL + - I IF p n IL 如果电池与负载电阻接成通路，通过负载的电流为 这就是负载电阻上电流与电压的关系，也就是光电池的伏安特性，其曲线如下图。 7.6 光生伏特效应 无光照时 有光照时 7.6 光生伏特效应 根据 开路电压 p-n结在开路情况下，两端的电压即为开路电压 。 这时I=0， IL = IF ，开路电压为 7.6 光生伏特效应 将p-n结短路（ V =0），因而IF =0，这时所得的电流为短路电流Isc 。 短路电流 根据 Voc和Isc是光电池的两个重要参数。 7.6 光生伏特效应 Vmax Voc Isc Voc和Isc随光强度的变化 7.6 光生伏特效应 两者都随光照强度的增强而增大；不同的是Isc随光照强度线性上升，而Voc则成对数式增大。 当光生电压Voc增大p-n结势垒消失时，光生电压达到最大。最大光生电压Vmax等于p-n结势垒高度VD 。 Voc和Isc的变化规律 光生伏特效应最重要的应用之一，是将太阳的辐射能量直接转变为电能即太阳能电池。 7.6 光生伏特效应 * 理论计算可得：在直接跃迁中，对任何k值的跃迁都是允许的，则吸收系数与光子能量关系为： 直接跃迁吸收系数与光子能量的关系 7.4 半导体的光吸收 * Ⅱ 间接跃迁——间接带隙半导体 动量守恒： 电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底的过程中， 这类半导体称为间接带隙半导体。非直接跃迁是电子、光子和声子共同参与的跃迁。 能量守恒： 其中，Ep为声子的能