非光学测试_489005056说课.ppt

力传感器 由一个弹性微悬臂和一个装在微悬臂自由端的尖锐探针组成 探针必须具有决定其与样品之间相互作用强度的几何形状和材料特性，如针尖形状、长度、导电性和导磁性等 微悬臂所具有的几何形状和材料特性应使其能够在力的作用下产生可检测的形变 微悬臂及其变形的检测是SFM的关键技术之一 AFM工作原理 1986年，Binning等人在Stanford大学发明了AFM（利用原子间斥力），以弥补STM不能用于绝缘体的缺点 AFM力传感器的技术要求 针尖尽可能尖锐 低的力弹性系数 高的力学共振频率 高的横向刚度 短的悬臂长度 有适合形变检测的特性 微悬臂变形检测－隧道电流法 只需在STM仪器上稍加改进就可以进行AFM测量 微悬臂变形检测－光反射法 其它SFM 组成部分：⑴带探针的力传感器；⑵力传感器的位移检测装置；⑶电子反馈回路；⑷压电陶瓷扫描控制器；⑸图象显示系统。除了力传感器上探针的性质不同外，其余部分与AFM基本相似。 磁力显微镜（Magnetic Force Microscope， MFM） ：长程力，非接触模式，通过检测磁性样品对磁性针尖的作用来研究表面磁畴分布 静电力显微镜（Electrostatic Force Microscope， EFM）：长程力，非接触模式，通过带电荷的针尖与带静电荷的样品之间的相互作用，来研究表面静电力分布 摩擦力显微镜（Lateral Force Microscope， LFM）短程力，接触模式，根据微悬臂的侧向扭曲程度来探测样品表面摩擦力的不同 其它SPM PSTM （光子扫描隧道显微镜） SNOM（扫描近场光学显微镜） BEEM（弹道电子发射显微镜） SICM（扫描离子电导显微镜） ST(Thermal)M （扫描热显微镜） SAFM （扫描声探针显微镜） * 背景 半导体及其微加工技术不断发展并向各学科渗透 各个国家竞相投入研究 美、日、欧、澳、中 器件和材料上的发展 微米纳米技术发展产生的影响 技术上：开发物质潜在的信息和结构潜力 经济、军事、科学研究和生活 微米/纳米技术研究现状 微／纳米技术作为新兴交叉高技术研究面临许多课题 所有微／纳米技术均离不开对它们的分析测试 测量的效率和精度决定着纳米科学技术的水平 微缺陷检测的意义 材料内部结构的一致性已成为决定加工出的微器件功能能否实现的重要因素之一 * 工艺步骤 诱生的主要缺陷 诱生缺陷造成的效应 切片 刀痕、打伤、微裂纹 翘曲、碎片、沾污 磨片 碎边、微裂纹 碎片、沾污、体内损伤 抛光 划道、残余应力 表面或体内损伤 外延生长 层错、位错、微缺陷、滑移 应变、翘曲、有害杂质沉淀 氧化 层错、位借、雾缺陷 翘曲、杂质、沉淀 扩散和热处理 发散极边缘位错和失配位错 应变、翘曲、发散极陷落效应 离子注入 二次缺陷 夹杂、沉淀、损伤、畸变 CVD 二次缺陷 应变、翘曲 金属化 应变、沾污、迁移 划片 裂纹 应变、碎片 键合 二次缺陷 应变、裂纹 封装 损伤、沾污 * 目前对半导体材料的检测大都还只是局限于对材料表面的检测 对半导体材料内部微体缺陷的检测方法，目前发展得还不成熟 有损法 腐蚀法 、透射电子显微镜 ( TEM )及高压电子显微镜 ( HVEM ) 超声法 SAW法(表面声波法)、超声显微镜 、超声全息法 声发射法 X射线形貌术 光声显微术 光学法 红外显微镜 、激光共焦扫描显微镜、光全息干涉技术、衍射或散射 * 光线照射被测介质，发生散射。由于介质中的质点或分子在不停地做布郎运动，由多普勒效应可以知道，对处于静止参考体系中的观察者来说，质点或分子辐射的次波频率与其运动速度有关，在实际测量中，将其散射出的光通过一适当的光谱仪进行分析处理，就可以得到颗粒的动态性能这种方法是通过测定散射光中微小频移及其角度依赖性来得到关于散射质点的动态行为的；而微缺陷的尺寸属于静态参量。因而该方法并不适合对微缺陷进行测量。 * 对于大的颗粒，散射光光强能量比较集中在靠近零度角范围，而小颗粒的散射光则比较分散和平均 糙度测量：多角度散射光的测量 由于散射信息中还包含大量漫反射信息，因此引入了神经网络的方法进行识别。 LST（Laser Scanning Tomograph）技术： 红外激光光束在半导体（厚/薄）片的侧面聚焦。进入样品照射路径上的微粒。散射图象由一个合适的相机在样品上表面收集 * 半导体材料微缺陷检测方法总结 传统方法不能满足半导体材料微缺陷检测要求 光学法以无损，非接触，能实时快速获取材料内微缺陷信息受到人们重视 ；数字化成像技术、激光技术的发展，使光学法已成为无损检测中最活跃的领域。 散射法作为激光检测微小缺陷的常用手段，有许多应用实例。同