13低频电子电路第三章e课程.ppt

总之，晶体管输入电路在vi 控制下，可以有效获得控制电压vB的较大变化，通过vB的变化实现晶体管可靠的导通和截止，以及导通和截止的状态转换。 综合起来，该电路与二极管门电路比较具有输出部分基本不影响电路的输入电源和信号源，同时电路也能在输入信号存在一定波动条件下完成高低电平输出的非逻辑功能实现。 例3.4.1 已知晶体管 ? =50，rbb‘ =200?，rce =105?， UBEQ =0.7V，VCC=12V，Rs=600?，RB1=33k?， RB2 =10k?，RC=3.3k?，RE=1.4k?，RL=5.1k?， 所有外接电容对信号短路。计算小信号作用下的 电压放大倍数 AV =vo/vi 。 条件：管子处于饱和区，在信号作用下的小范围变化时的近似线性等效电路。 3.2.3 场效应管微变等效电路 电路模型 基础数学模型 饱和时，输入电阻极大 场效应管衬底（或背栅）跨导 按结构精细化模型 当衬底与源极相连时 要点：直流电源作用下的计算问题。 3.3 直流工作点分析 分析指标： IBQ 、VBEQ ICQ、VCEQ 即分析交流输入信号为零时，放大电路中直流电压与直流电流的数值。 具体步骤：（1）直流通路 3.3.1 工作点的建立及近似计算 （2）作图法或近似计算法的选择 双电源供电方案 图解法分析步骤： （1）由电路输入特性确定IBQ 写出管外输入回路直流负载线方程(vBE ? iB)。 在输入特性曲线上作直流负载线。 找出对应交点，得IBQ与VBEQ。 （2）由电路输出特性确定ICQ与VCEQ 写出管外输出回路直流负载线方程(vCE ? iC)。 在输出特性曲线上作直流负载线。 找出负载线与特性曲线中IB =IBQ曲线的交点， 即Q点，得到ICQ与VCEQ。 + - iB E iC - + VCC RB RC + - vBE + - vCE 由输入回路可得输入直流负载线方程 vBE = E - iBRB 由输出回路可得输出直流负载线方程 vCE = VCC - iCRC 在输入特性曲线上作直流负载线。 Q VBEQ IBQ vBE iB 0 E E/RB vBE = E - iBRB Q ICQ VCEQ iC vCE 0 IB = IBQ VCC/RC VCC vCE = VCC - iCRC 在输出特性曲线 上作直流负载线。 图解法分析优点：便于直接观察Q点位置是否合适，输出信号波形是否会产生失真。 单管共射放大电路的原理电路 原理电路的缺点： 双电源供电； 2. vi、vO 不共地。 单管共射放大电路 C1 、C2 ：为隔直电容或耦合电容； RL：为负载电阻。 该电路也称阻容耦合单管共射放大电路。 直流通路与交流通路 Rb Rc RL 工程近似法--估算法 　即利用直流通路，计算静态工作点。直流通路是指输入信号为零，耦合及旁路电容开路时对应的电路。 分析步骤： 确定三极管工作模式 。 用相应简化电路模型替代三极管。 分析电路直流工作点 。 只要 vBE ?0.5V（Ｅ结反偏） 截止模式 假定放大模式，估算VCE : 若 vＣE 0.3V 放大模式 若 vＣE＜0.3V 饱和模式 例1 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，?=30 ，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 VCC RC RB (+6V) 1k? 100k? T 因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在放大模式 。 VC = VCEQ= 4.41V 硅管 UBEQ = (0.6 ~ 0.8) V 锗管 UBEQ = (0.1 ~ 0.2) V 例2 若将上例电路中的电阻RB 改为10k?，试重新 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 VCC RC RB (+6V) 1k? 10k? T 因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在饱和模式。 解： 所以三极管工作在截止模式 。 VCC RC RB1 (+6V) 1k? 100k? T RB2 2k? + - VBB RBB RC + - VCC VBE(on) 例3 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，?=30 ，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 （1）假定就处于饱和区。 1.2M? 4k? 0.8M? 20k? 例4 已知 VDD = 20V ，VGS(th) = 2V ，管子参数 ?COXW/(2l)=0.25m