CMOS倒相器版图研究.pptVIP

栅极负责施加控制电压 源极、漏极负责电流的流进流出 导电沟道 一、单个MOS管的版图实现 有源区 栅 导电沟道 有源区注入杂质形成晶体管， 栅与有源区重叠的区域确定器件尺寸， 称为导电沟道 1、图形关系 只要源极、漏极以及导电沟道所覆盖的 区域称为有源区。 芯片中有源区以外的区域定义为场区。 版图图层名称 含义 Nwell N阱 Active 有源扩散区 Pselect P型注入掩膜 Nselect N型注入掩膜 Poly 多晶硅 cc 引线孔 Metal1 第一层金属 Metal2 第二层金属 Via 通孔 常用图层 注意： 不同软件对图层名称定义不同； 严格区分图层作用。 版图图层名称 含义 cc（或cont） 引线孔（连接金属与多晶硅或有源区） Via 通孔（连接第一和第二层金属） MOS器件版图图层 ——PMOS N阱——NWELL P型注入掩模——PSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2 PMOS版图结构 图3.70 截面观察 MOS器件版图图层 ——NMOS N型注入掩模——NSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2 NMOS版图结构 图3.74 NMOS截面 版图设计中不需要绘制基片衬底材料以及氧化层 2、阱与衬底连接 通常将PMOS管的衬底接高电位（正压）；NMOS管的衬底接低电位（负压），以保证电路正常工作 衬底材料导电性较差，为了保证接触的效果，需要在接触区域制作一个同有源区类似的掺杂区域降低接触电阻，形成接触区。 衬底半导体材料要与电极接触，同样需要引线孔（CC）； 二、CMOS倒相器的版图 特点： Vin作为PMOS和NMOS的共栅极； Vout作为共漏极； VDD作为PMOS的源极和体端； GND作为NMOS的源极和体端 V V in out 反相器的逻辑符号 若输入为“0”(Vin = 0V)： VGSN = 0V， VGSP=－VDD NMOS截止，PMOS导通 输出“1” (Vout = VDD) 1 CMOS反相器的结构和基本特性 2、cmos倒相器的版图结构 图3.102 加入输出端口名 1、电路结构 * 1、电路结构 *