集成电路设计基础__工艺部分1.pptVIP

“备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ 溅射：真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。 * 溅射镀膜 溅射镀膜的基本原理 用高能粒子（经电场加速的正离子）冲击作为阴极的固态靶，靶原子与这些高能粒子交换能量后从表面飞出，淀积在作为阳极的硅片上，形成薄膜。 直流二极溅射台 高频溅射台 其他薄膜制备技术 应用：接触和互连 接触：自对准多晶硅/硅化物结构（salicide） 互连：多层互连、铜互连铜互连技术（二次镶嵌技术） 当金属作为电极从半导体中引出电流时，希望载流子在进出半导体时少受阻力。 形成良好的欧姆接触。 金属和半导体接触 金属和轻掺杂半导体接触 常用的金属接触互连材料 互连金属化材料的要求： 导电性能好，引起的损耗小。 与半导体之间有良好的接触特性 性能稳定：金属化材料不和硅发生反应。 台阶覆盖性能好：防止台阶处金属化层变薄甚至出现断条情况。 工艺相容：不改变已有器件的特性。 常用的金属化和互连材料 铝：电迁移现象、铝硅互溶问题。 铝－硅合金：减少铝硅互溶。 铝－铜合金：抑制电迁移。 重掺杂多晶硅 20世纪70年代初，MOS集成电路中，开始用重掺杂多晶硅薄膜代替金属铝作为栅极材料并形成互连。 难熔金属硅化物 由于多晶硅电阻率较高，当IC工艺达到1um以下时，多晶硅互连线已成为限制IC速度提高的主要障碍，为此出现了自对准多晶硅/硅化物结构（salicide）。 铜 随着VLSI集成度的增加，线条尺寸进一步减小，布线延迟更加严重。 采用低介电常数的介质作为层间绝缘层。 采用电阻率更低的铜代替铝作为布线材料。（铜为间隙杂质，扩散速度块，二次镶嵌技术。 金属：铝的特点 铝的优势 电阻率低ρ＝2.65uΩ·cm 易制备 易成形 粘附性好 铝的不足 电迁移效应：高电流密度下长期工作会导致开路或短路 熔点较低：淀积铝之后不能有高温工艺 适合做集成电路的互连材料 电迁移现象 采用硅化物，可以大大降低寄生电阻 自对准多晶硅/硅化物结构（salicide） 铝 钨塞 氧化层 多层互连 集成电路要求互连线尽可能短，并且彼此间不能相交 集成电路中的晶体管与分立晶体管的主要区别是集成电路中晶体管的所有电极都比须制作在集成电路芯片的表面，而且每个晶体管之间必须在电学上相互隔离开，防止器件间的相互影响。 四、隔离技术 常用的隔离技术： pn结隔离、等平面氧化层隔离(场隔离）、沟槽隔离、介质隔离等。 双极集成电路隔离工艺 MOS集成电路隔离工艺 * pn结隔离技术 ? 目的：使做在不同隔离区的元件实现电隔离 结构：如图所示 特点： 为降低集电极串联电阻rCS，在P型衬底与n型外延之间加一道n+埋层，提供IC的低阻通路。 为进一步降低集电极串联电阻rCS集电极接触区加磷穿透扩散（应在基区扩散之前进行） 为减小隔离槽的实际宽度可采用对通隔离技术 * 对通隔离技术 在n+埋层扩散后，先进行p+浓硼下隔离扩散，去除氧化层后，生长n型外延，然后在进行p+浓硼上隔离扩散的同时，做纵向pnp管（将在模拟IC中使用这种器件）的发射区扩散，这样可缩短扩散时间，使横向扩散尺寸大为降低，节省了芯片面积。 对通隔离技术示意图 * PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化 （正胶） * 绝缘介质隔离(DI—Dielectric Isolation) (a) 氧化，光刻 (b) 各向异性腐蚀，刻出V形槽 (c) 热生长1μm的SiO2 (d) 生长250μm的多晶硅 (e)研磨背面的单晶硅，直到磨出单晶硅岛为止 (f) 在硅岛上制作各种类型的器件 有源区：在集成电路中，通常将硅片上用于制作各种元器件的区域，称作有源区。 场区：其他没有制作器件的区域称作场区。 两个概念 双极集成电路隔离工艺 标准隐埋集电极隔离工艺（Standard Buried Collector Process，SBC） 不同n型区之间靠反向偏置的pn结隔离 隔离区较宽 寄生电容较大 pn结隔离 集电区扩散隔离（Collector Diffused Isolation，CDI） 与SBC相比具有工艺简单，隔离面积小等优点 介质隔离（Dielectric Isolation, DI） 隔离效果好 研磨背面时要求精确的机械定位 高温淀积多晶硅时硅片容易翘边 等平面氧化物隔离工艺 （Recessed Oxidation