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宝山壁画 宝山壁画是引人注目的昂贵文物。此壁画发现于阿鲁科尔沁旗东沙布乡境内。1994年列为“全国十大考古新发现”之一。宝山壁画中最引人注目的是《杨贵妃教鹦鹉图》。该画高0.7米、宽2.3米，用于笔重彩绘制，最突出的表现了 晚唐风格。唐代擅长绘贵妇仕女的大师周昉绘制了《杨贵妃教鹦鹉图》，不仅享誉中原，而且还影响全国各地。发现于阿旗宝山古墓里的这幅画，就是契丹人聘请中原画家按照周氏风格绘制的， 技法深得周氏画风的真传。在唐人真迹稀如星风的今天，能够从中完整了解唐代人物画的杰出成就，堪称美术史研究的辛事。这幅壁画现今保存在阿鲁科尔沁旗博物馆，历经千年，恍如新绘，是该馆的镇馆之宝。 欢迎大家观看！ 57 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 一、带隙基准的一般原理 对温度求导，用VBE和Vt的温度系数求出理论上不依赖于温度的K值。 VBE与电源几乎无关，所以带隙基准与电源电压几乎无关。 58 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 二、推导VBE温度系数 1.集电极电流密度 59 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 2.联立上面三式，得集电极电流密度方程 3.T=T0时的Jc 4.Jc与Jco的比 5.整理上式得到VBE 6.假设 ，在T=To处求 60 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 三、推导Vt温度系数 61 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 四、推导带隙基准电压增益K 1. 为了在To时达到零温度系数 2. 可以得到 3. 定义 因此 4. 解得K 5. 带隙基准的输出电压得 62 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 63 模拟集成电路设计 §4-6: 带隙基准 五、带隙基准 64 模拟集成电路设计 §4-1: MOS开关 小 结 ● 本章涵盖了CMOS子电路的分析和设计，包括： 开关 二极管、有源电阻 电流漏/源 电流镜或电流放大器 基准电流和电压 带隙基准 ● 子电路是电路设计的基本单元，几乎不能单独使用 ● 电流漏/源是用作偏置和交流负载的重要子电路 ● 描述电流漏/源的主要参数 ● 描述电流镜的主要参数 Ai精度 ● 基准电流和电压独立于电源和温度 ● 带隙基准是最好的电压基准 26 1.利用负反馈增加输出电阻 §4-3: 电流漏和电流源 二、 电流漏和电流源输出电阻的增加 由等效电路 2.增加输出电阻的简单电流漏 27 3.共源共栅电流漏 §4-3: 电流漏和电流源 由等效电路 因为 所以 28 §4-3: 电流漏和电流源 由上图可知，简单电流漏/源的输出电流受Vout影响，减小VMIN很重要。 29 §4-3: 电流漏和电流源 三、 栅-源匹配原理 1.如果两个管的栅-源电压相等，并且匹配、工作在饱和区， 那么，电流与管子的W/L比率相关。 29 §4-3: 电流漏和电流源 三、 栅-源匹配原理 2.如果两个管子的漏极电流相等，并且匹配、工作在饱和区， 那么，栅-源电压与管子的W/L比率相关。 注意：理想情况必须 vDS1= vDS2 30 问题：VMIN 太大 解决：采用高摆幅共源共栅电流漏减小VMIN。 §4-3: 电流漏和电流源 四、 标准共源共栅电流漏 31 §4-3: 电流漏和电流源 五、 高摆幅共源共栅电流漏 所以 问题：vDS3≠vDS1 ,iout≠IREF 解决：采用改进的高摆幅共源共栅电流漏 根据匹配原理 32 M5与M3串联,使M3和M1的漏极电压相等,因而消除了由沟道长度调制效应产生的误差. §4-3: 电流漏和电流源 六、 改进的高摆幅共源共栅电流漏 33 模拟集成电路设计 第4章第4节 4.4 电流镜 34 电流镜基本上只是一个电流放大器。理想特性的电流放大器是： 输出电流正比于输入电流 iout = Ai iin 输入电阻为零 输出电阻无穷大 另外，VMIN不仅适用于输出，而且还适用于输入 VMIN(in) 是输入电阻不够小的vin的范围 VMIN(out) 是输出电阻不够大的vout的范围 §4-4: 电流镜 一、 电流镜的特点 如图: 35 假设 §4-4: 电流镜 二、 简单的MOS电流镜 那么 如果晶体管匹配 如果 那么 因此，误差来源于： （1） （2）M1和