分子动力学实验_md3讲义.docVIP

分子动力学实验报告 1）观测位错的位移场、应力场、应变场分布 （2）计算静止位错的能量（与位错理论的计算结果比较） （3）澄清位错分解与层错能的关系 实验原理 1螺位错 螺型位错；螺旋位错；screw dislocation;Burgers dislocation又称螺旋位错。一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。 假设在各向同性的介质中，UZ随着θ 角均匀的增大，可以得到位移UZ与θ 和r 的关系如下 此即为螺位错的位移场公式。也是在本次实验中，我们用来构造螺位错的依据。首先，我们搭建一个完整晶体，以中心处为位错的核心，然后根据位移场公式相继移动体系内的每个原子，使其符合螺位错的位移场分布。经过能量最小化后，我们可以得到一个稳定的含有螺位错的构型。由于圆柱体只有沿z 方向的位移，因此只有切应变。相应的，各应力分量为 2． 刃型位错 滑移区与未滑移区之间的边界就称为位错。这个位错的位置由挤入上半部分晶体的额外垂直半原子面的边缘标志。在位错附近，晶体的形变可以看作是由于在晶体上半部分插入了一片额外的原子面所产生。这个原子面的插入使上半部分晶体中的原子受到挤压，而使下半部分晶体中的原子受到拉伸。 按照弹性力学理论可以得到，刃型位错的位移场诸分量为： 相应的，各应力分量为： 3． 位错的应变能 位错的能量可以分为两部分：位错中心畸变能Ec 和位错应力场引起的弹性应变能Ee。位错中心区域由于点阵畸变很大，不能用胡克定律，而需借助于点阵模型直接考虑晶体结构和原子间的相互作用。据估算，这部分能量大约为总应变能的1/10～1/15 左右，故常予以忽略，而以中心区域以外的弹性应变能代表位错的应变能，此项能量可以采取连续介质弹性模型根据单位长度位错所作的功求得。对于刃型位错， 同理，对于螺型位错有 层错 堆垛层错（stacking fault）是广义的层状结构晶格中常见的一种面缺陷。它是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布。例如在立方紧密堆积（CCP）结构中，其固有的正常堆垛顺序为三层重复的……ABC ABC ABC……，如果局部出现诸如……ABC A\C ABC……或者……ABC AB\A\C ABC……，则在划线处便是堆垛层错的所在。它们在形式上也可看成是由一个完整的晶格沿层错面、其两侧晶格间发生非重复周期平移所导致的结果。 三、实验过程 （1）进入md文件，之后进入md_dislocation文件夹，运行run.sh文件，之后查看results文件，记下相应的数据。 $cd口md $cd口md_dislocation $./run.sh $cat口results （2）进入相应的文件查看位错形的图像，用不同的应力分别进行染色，观察效果图。键入k值，观察位错，双击位错原子图像，分别得到两个位错的坐标值，记下坐标值算出两个位错间的距离。 （3）进入层错的文件，运行./run.sh文件，查看results，分别记下低层错能下的完美晶体和发生层错后的能量和高层错能下完美晶体和发生层错后的能量。 （4）分别进入低层错能和高层错能的问价夹，查看相应的图像，染色并做调整，得到层错的效果图。 四、实验结果 1.位错实验 (1)位错的能量 在高层错能时刃位错的图像 在低层错能时的刃位错图像 在高层错能时螺位错的图像 在低层错能时螺位错的图像 故得到的数据为： 类型 Edge lowSF Edge highSF Screw lowSF Screw highSF 完美能量（eV） -78115.675218 -78404.902344 -45668.378858 -45841.646437 缺陷能量(eV) -78109.671405 -78398.770327 -45666.47000 -45839.663985 位错实验能量(J/m) 2.1554×10-9 2.2014×10-9 1.1988×10-9 1.2602×10-9 位错理论能量(J/m) 2.2887×10-9J/m 1.5334 位错间距(A) 30.156 12.151 12.404 6.756 层错能，各向同性，γ=0(mJ/m2) 31.5029 78.1829 76.5882 140.6157 层错能,各向同性，γ=0.33(mJ/m2)