CuO掺杂MnFeNiCoO4基负温度系数热敏陶瓷研讨.pptx

CuO掺杂MnFeNiCoO4基负温度系数热敏陶瓷目录文献综述1实验过程2结果与讨论3思考与总结4参考文献5文献调研CDIO代表构思（Conceive）、设计（Design）、实现（Implement）和运作（Operate），它以产品研发到产品运行的生命周期为载体，让学生以主动的、实践的、课程之间有机联系的方式学习工程。CDIO培养大纲将工程毕业生的能力分为工程基础知识、个人能力、人际团队能力和工程系统能力四个层面，大纲要求以综合的培养方式使学生在这四个层面达到预定目标CDIO简介NTC热敏陶瓷介绍NTC热敏电阻器是一种以过渡金属氧化物为主要原材料，采用电子陶瓷工艺制成的热敏陶瓷组件。它的电阻值随温度的升高而降低。利用这一特性既可制成测温、温度补偿和控温组件，又可以制成功率型组件，抑制电路的浪涌电流（这是由于NTC热敏电阻器有一个额定的零功率电阻值，当其串联在电源回路中时，就可以有效地抑制开机浪涌电流。并且在完成抑制浪涌电流作用以后，利用电流的持续作用，将NTC热敏电阻器的电阻值下降非常小的程度）浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流物性参数电阻值热敏常数耗散系数热时间常数电阻温度系数额定功率Pn最高工作温度Tmax电阻温度特性ntc陶瓷的相应制工数据为:热敏常数B值的计算材料常数（热敏指数）B值（K）B值被定义为：电阻在两个温度之间变化的函数，公式：RT1：温度T1（K）时的零功率电阻值。 RT2：温度T2（K）时的零功率电阻值。 T1，T2：两个被指定的温度（K）。对于常用的NTC热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间。结构类型NTC陶瓷大多是具有尖晶石结构的过渡金属氧化物固溶体。但是只有包含反尖晶石结构或半反尖晶石结构的半导体电子陶瓷才具备NTC特性尖晶石结构的化学通式为AB2O4,式中A为Mg2+,Mn2+,Ni2+,Zn2+,Fe2+,Co2+等B为Al3+,Cr3+,Fe3+,Ga3+,In3+,V3+等。反尖晶石结构：四面体间隙被B离子全部占据，八面体间隙被A、B离子各占据一半一般的尖晶石称作反尖晶石。导电原理NTC的导电既不是电子在导带中运动的结果,同时也不是空穴在价带中迁移所造成的,而是电子在能级之间直接、转移、跃迁的结果,是电子从某一个原子跃迁到另一个相邻原子位置上的过程,电子的跃迁过程就是阳离子的变价过程。这一导电模式是尖晶石结构的NTC热敏电阻材料导电机理。实现电子交换方式所具备的必要条件为：（1）在尖晶石型氧化物中必须有可以变价的异价阳离子，以产生电子交换（2）两种异价离子必须同处于B位置中二.实验称量研磨煅烧研磨压片烧结XRD、SEM,测密度烧电极阻温特性测试数据处理计算原料配比第一组：MnFeNi0.5Co0.5O4第二组：MnNi0.5FeCo0.5O4（95%）CuO(5%)第三组：MnNiFe0.5Co0.5O4（90%）CuO(10%)配料表MnO2Fe2O3Ni2O3Co2O3CuO第一组3.72173.41811.7001.7752第二组3.6553.3571.6781.7430.178第三组3.5913.2961.6551.7260.356原料称取与研磨准备研钵、干燥灯、原料等等并按设计算好原料配比称量。研磨研磨要求研钵干净、干燥进行研磨操作时,研钵应放在不易滑动的物体上,研杵应保持垂直.研磨时间40分钟。煅烧将原料放入SX2-2.5-12箱式电阻炉，在室温15℃下经过220分钟升温达950℃后保温360分钟，自然冷却到仪器表显示-121。将所得产物研磨30min。压片成型取出预烧粉末研磨0.5h.量取约4克加5滴胶水，搅拌造粒，用压片机压5片。（7MPa）烧结开始室温1.5℃，每分钟升高1℃加热到280℃保温1h，再每分钟升温2℃到850℃保温1h接着每分钟升温3℃到1250℃，自然降温。烧电极在抛光的陶瓷样品的上下表面涂上银浆，在钨丝灯下进行银浆干燥，随后放入马弗炉中烧电极。开始室温加热150min到300℃保温半小时，再加热200min到850℃保温40min,自然冷却到-121阻温特性测试在烧结好的陶瓷样品两面焊接上电线，在10°C、30°C、75°C温度下测试其电阻值。三、结果与讨论3.1XRD,测密度,SEM打磨；量直径，厚度，质量，计算密度取三个样品研磨；做XRD不处理；做SEMXRD根据XRD图谱，采用Cell5.0软件，计算出晶胞参数如下表所示：晶胞参数（a）纯5%10%1-11-22-12-23-13-28.3058.3418.3498.4178.3098.364根据公式推算出理论密度如下表所示理论密度（ρ）纯5%10%1-11-22-12-23-13-25.41135.32475.21475.08965.17275.0718实际密度