信息薄膜理论与2013-概论详解.pptVIP

总装备部军用电子元器件合同办 电子科学与技术系 薄膜传感器与智能系统研究所 杨晓非 华中科技大学信息存储与薄膜技术研究所 2008.11.3 2013年9月 信息薄膜理论与技术概论 杨晓非 内容提要 薄膜的基本概念 ? 薄膜的特点 薄膜的制备工艺 薄膜的典型应用 薄膜的基本概念 当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其它二维尺度时，这样的固体或液体称为膜。 薄膜的研究：共性和特性 合成与制备 组分与结构 性质与性能 表征（扫描电子显微镜、X射线衍射、原子力显微镜等） 薄膜的特性 附着于基片上： 固态基片（衬底、基底）上的固态薄膜 厚度：（0.1nm～10000nm) 厚膜（厚度＞1um），薄膜（厚度＜1um） 太薄：材料间的扩散→性能不稳 太厚：与体材料区别不大 结构和性能：可通过制备工艺参数的调节和成膜后的处理来控制； 易于实现器件的小型化、平面化和集成化； 薄膜的组分可以突变也可以缓变 改变靶材、反应气体、调节放电功率或电流等， 形成多层膜和同一层内组分缓变的薄膜 薄膜的特性 薄膜的特性与厚度相关； 具有亚稳态特性 厚度、致密性、结构等，在外界能量（光、热等）作用下，发生显著变化 薄膜性能受制备工艺的影响很大 不同的工艺，同一工艺不同的参数，所制备的同种薄膜在特性上相差很大 薄膜的特性 薄膜的特性 薄膜几乎都能在异质基体上生长 薄膜的生长一般对基体没有苛刻要求，但基体需要精心选择，如玻璃盘基硬盘 薄膜的制备 气相生长（淀积）法 液相生长法 固相生长法 要求：通过制备工艺实现对薄膜的组分、结构、厚度及其均匀性等特性进行严格控制 液相生长法 将薄膜源（含有薄膜材料，但多数情况下并不 与薄膜组分完全相同）连同溶剂和分散剂等，制 备成溶液，然后均匀分布于衬底上，然后用加热 等方法促进它们发生物理或化学变化。 典型工艺：喷涂、液相外延、溶胶－凝胶（Sol－gel）、旋转涂敷（Spin Coating)、印刷等 特点：工艺简单、生产速率高、成本较低，但厚度、结构及其均匀性难于精确控制 固相生长 一般是在基体上预生长一层薄膜，然后再通过 热处理、激光诱导、电子诱导等方法进行处 理，使之在组分、结构和特性方面达到要求。 气相淀积法 将薄膜材料首先转化为气态，然后淀积到 衬底上 依照成膜过程的主要作用不同又可分为： 物理气相淀积（PVD） 化学气相淀积（CVD） 物理化学淀积 物理气相淀积 通过物理方法产生气态源 高能粒子轰击产生气态源→溅射法 通过能量交换产生气态源→蒸发和分子束外延 如：溅射法 化学气相淀积 共同特点：存在化学反应，包含分解、 化合、聚合等类型。 按能量的供给分：热CVD、光CVD、等离子体 增强CVD（PECVD）、电子辅助CVD（EACVD）等 物理化学淀积 同时具有PVD和CVD的特征 如：反应溅射制备金属氧化物 在溅射生长金属薄膜的同时，将氧气引入反应室， 形成含氧的等子体，金属原子在飞行途中和淀积 在衬底上之后，都有可能被氧化而形成氧化物 典型研究应用－GMR head 1.前言－－存储密度发展 Thermal Fluctuation Limit 1955 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 1G 10G 100G 100M 10M 1M 100K 10K 1K Areal Density (Gb/in2) 2010 1T Spin-valve GMR Head Thin Film Head 1956 Year IBM 350 5MB, 2kb/in2 24”(600mm)media 50 Platters MR Head PRML Channel IBM RAMAC TMR Head 2008 Year Fujitsu MHZ2500BT 500GB, 277Gb/in2 2.5”(65mm) Media 3 Platters SFM PMR Sputtered Media 1973 Year IBM 3340 Disk Enclosure 垂直磁记录密度已超过1000 Gb/in2 56 Years Invention of HDD: 1956, 5 Mbytes, 24 disks, 2kbits/in2 56 Years Later: 5 Mbytes, 24 disks, 2kbits/in2 1000Gbits/in2 硬盘（HDD）核心技术 Downsizing of Recording Bit in HDD Recording 微型磁通门传感器 Magnetic Core Contact pats sensing Coil excitation Coil