西南交大晶体位错汇编.docVIP

位错理论与应用试题： 解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能（20分） 简述兰克—瑞德位错增值机制及位错的分类？（10分） 位错的表征及观察方法有哪些？（10分） 综述层错能和晶体结构对金属塑性变形机理的影响？（20分） 金属的强化方式有哪些？阐述不同强化方式中位错的强化机理？（25分） 什么是金属的加工硬化，并应用位错理论解释金属的加工硬化机理。（15） 解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能（20分） 答：（1）柯氏气团：间隙式或者置换式溶质原子在刃型位错弹性交互作用时，交互能为负的情况下，溶质在基体中不会形成均匀分布，它们要偏聚到刃型位错张应力区并紧靠位错线，形成所谓“柯氏气团”。这种气团牢固地将位错钉扎住，因而对为错的运动和力学行为有重大影响。 （2）扩展位错：一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相连，这个过程称为位错的扩展，之间夹着一片层错区所组成的缺陷组态称为扩展位错。 （3）位错束集：当扩展位错区遇到杂志原子、第二相粒子、位错林等障碍时，由于这些区域能量升高，导致扩展位错在此处宽度缩小，甚至成为节点，称为位错束集。如下图C点所示。 （4）层错能：金属结构在一层一层堆垛时，没有严格的按照堆垛顺序，形成堆垛层错。层错是一种晶格缺陷，它破坏了晶体的周期完整性，引起能量升高，通常把单位面积层错所增加的能量称为层错能。 简述弗兰克—瑞德位错增值机制及位错的分类？（10分） 答：（1）弗兰克—瑞德位错的增值机制： 弗兰克—瑞德位错增值机制如下图所示。这种理论认为新位错的产生是原有位错增值的结果。假设晶体中有一段位错AB，它的两端被位错网的结点钉扎住。沿着图（a）中的箭头方向对AB施加应力，AB由于两端被固定，只能发生弯曲，结果如下图（b）所示。由于位错所受应力恒与位错垂直，所以弯曲后的位错每一微段还会继续受到力的作用，并沿着其法线方向持续向外运动，发展情况如（c）所示。当弯曲部分的位错互相靠近，如（d）所示，并最终相遇时，根据柏氏矢量可判知，在接触点的2根位错方向相反，故它们相遇时会相互抵消，整根位错在该点处断开，大致形成一个位错坏和一根新位错，如（e）所示。 当τb作用于位错线上时，位错线发生弯曲。当位错线AB弯成半圆时，R最小，τ最大。此时，τ=Gb/L。L为AB的长度。此后位错线继续扩展，其曲率半径反而增大，切应力又重新减小。故2R=L时的τ为临界切应力。 （F-R）源增值机制 （2）位错的分类： （a）刃型位错：假设有一个简单立方结构的晶体，在切应力的作用下发生局部滑移，在晶体内垂直方向出现了一个多余的半原子面，显然在晶格内产生了位错，这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面，所以称为刃型位错。位错线的上部邻近范围受到压应力，下部邻近范围受到拉应力，离位错线较远处原子正常排列。通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错，反之为负刃型位错。如下图所示。 （b）螺型位错：晶体在外加应力的作用下，沿ABCD面滑移，下图中BC线为已滑移区与未滑移区的分界处。在BC与AD线之间上下两层原子发生了错排现象，链接紊乱区原子，会画出一螺旋路径，该路径所包围的管状原子畸变区就是螺型位错。 （c）混合型位错：在外力τ作用下，两部分晶体之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向，这样的位错称为混合型位错。如下图所示 3、位错的表征及观察方法有哪些？（10分） （Ⅰ）表面法（或蚀坑法）。表面法（或蚀坑法）是用适当的方法侵蚀晶体表面，以显示位错在表面的露头。这是基于位错线露头处由于应变大或杂质原子偏聚而比表面上其他区域更不稳定，因而优先被侵蚀，形成蚀坑。最常用的方法是化学侵蚀法和点解侵蚀法。其次是热侵蚀法和溅射法，前者是基于位错露头处的原子在高温、真空条件下优先蒸发，后者是基于位错露头处的原子优先被气体粒子轰击掉。此外，在台阶、夹杂物等缺陷处形成的是平底蚀坑，很容易地区别于位错露头处的尖底蚀坑。其原理如下图所示。 （Ⅱ）透射电镜法。透射电镜法(transmission electron microscopy ，TEM)是应用最广的观测位错及其他晶体缺陷（如堆垛层错、晶界、空洞等）的方法。它通常用来研究缺陷的静态形貌和特性（如位错的性质和柏氏矢量等），但有的电镜带有微型拉伸装置，可以在显微镜下对显微试样（长度少于3mm的试样）进行拉伸，从而可直接观测位错的运动过程，包括位错的增值和交互作用。由于位错附近点阵平面发生局部弯曲，纳米射入位错附近的电子光束就会发生一定角度的衍射，相应使透射的电子光束减弱，从而使位错线变为黑色线条，即可通过透射电镜观察位错。其原理如下图。 （Ⅲ）缀饰法。有许多晶体对可见光是和红外线是透明的。对于这些晶体，虽然通常并不能直接看到位错，但可以通过掺入适当的“