第一章 半导体器件介绍.pptVIP

第一章 半导体器件;一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流 分配和电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构 造、工作原理和特性曲线，理解主要参数 的意义； 三、会分析含有二极管的电路。;第一节 半导体基本知识;Si;2、本征半导体中的两种载流子;半导体的导电特性：;二、P型半导体和N型半导体;2、N型半导体(掺入磷P);注意; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;三、PN结及其单向导电性;2、PN结的单向导电性;（2） PN 结外加反向电压截止;第二节 二 极 管;二、伏安特性;三、主要参数; 例1-1 已知电路如图所示，VDA和VDB为硅二极管，若UA=3V，UB=0V时，求输出端F的电压值UF。; 例1-2 电路如图所示，已知电源电压US=5V， 输入信号ui=10sinωt V，设二极管为理想元件，试画出输出电压uo的波形。;当ui US时二极管导通，输出电压 uo = US = 5V；;第三节 特 殊 二 极 管;稳压管主要参数：; 例1-3 在图中电路，R=1kΩ ；稳压管 UZ=6V，PZM=200mW，IZmin=10mA。问若电源E在18～30V内变化时，输出电压UO是否基本不变，稳压管是否安全？;二、 发光二极管;三、 光敏二极管;第四节 晶 体 管;C;（2）基区要制造得很薄且掺杂浓度很低。;二、 电流分配与放大原理;二、 电流分配与放大原理;2、晶体管内部载流子的传输过程;EB;（3）集电区收集从发射区扩散过来得自由电子;3、晶体管内电流的分配关系;IC = ICE+ICBO;通常ICEO很小，所以;4、晶体管的放大作用;第四节 晶 体 管;0.4;2、输出特性曲线;UCE / V;饱和区;RB; 例1-4 图示电路中，设晶体管的电流放大系数 =50，UBE=0.7V，EC=12V，RC=6kΩ，RB=50kΩ。当UI= －2V、6V和2V时，试判断晶体管的工作状态。;RB; 例1-5： 测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 ;四、晶体管主要参数;例1-5 在下图中所给出3DG100晶体管的输出特性曲线上，（1）计算Q1点处的 ；（2）由Q1和Q2两点，计算 。;IB=0;2.集-基极反向饱和电流 ICBO;5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO;由三个极限参数可画出三极管的安全工作区;五??? 光敏晶体管和耦合器件;五、 光敏晶体管和耦合器件;2、光耦合器件