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第一章 导电材料;电导率无限大;ρ=RS/L ρ : 电阻率(electric resistivity); R : 电阻(resistance); S : 横截面面积。 欧穆定律(ohm’s Law) 的微分形式 i=σE i : 电流密度 σ: 电导率(electric conductivity) E : 电场强度 σ=1/ρ ;导电功能材料按综合性质，功能与作用分类;一、 导体材料;各种材料在室温下的电阻率;金属是由原子构成的点阵， 每个原子的价电子是完全自由的;nF——单位体积内处于费米能级的电子数； l——电子的平均自由路程； Mn*——电子的有效质量； E*‘——电子的有效电荷； uF------费米能级电子的平均速度； μF——费米能级电子的迁移率； τf——费米电子两次碰撞的平均时间； E——电场强度。; 导体材料按化学成分主要有以下四种 (1) 金属材料，主要的导体材料 例如：Ag，Cu， Al (2) 合金材料， 例：：Cu-X (X=Zn, Sn, Pb)，Ni-Fe (3) 无机非金属材料， 例：C，ReO3，SnO2 (4) 高分子导体(polymeric conductor) 例：聚乙炔(polyacetylene); 金属导体材料主要用作电缆、电机、引线、布线、辐射屏蔽、电池、开关、传感器、信息传输、金属填充和接（触）点材料等。 合金导体材料主要用作电阻材料和热电偶材料。 非金属导体材料主要用作耐腐蚀导体、高温导电和导电填料。 高分子导体材料只要用作锂电池的电极材料;三、半导体材料;2、半导体的分类;导电机理 半导体中价带上的电子借助于热，光，电，磁等方式激发到导带叫本征激发。满足本征激发的半导体叫本征半导体，它的导电载流子是由本征激发所形成的导带中的电子和价带中的空穴。通过载流子的运动来实现导电。 电导率由电子运动和空穴运动两部分所构成．按照量子力学的微扰处理，本征半导体的电导率为;本征半导体的电导率主要取决于温度、禁带宽度、电子和空穴迁移系数。;元素半导体和半金属的性质;本征半导体材料的应用 因为本征半导体的载流子密度非常小，需要在高温下工作，故应用不多。实际应用的大多数为掺杂后非本征半导体，也叫杂质半导体。;杂质半导体的种类 按掺杂元素的价电子和纯元素价电子的不同而分类。一般是在14族元素中掺13族或15族元素。其分类为 n型半导体和p型半导体。;;代表性的化合物半导体有 II-VI(12-16)族半导体：ZnSe, CdS, ZnO, ZnS III-V(13-15)族半导体：GaAs, InP, GaN, AlN IV(14)族化合物半导体：SiC, SiGe I-III-VI(11-13-16)族半年导体：CuInSe2;　;非晶态半导体;非晶半导体对杂质掺入不敏感，结构不具有敏感性。掺入杂质的正常化合价都被饱和，即全部价电子都处在键合状态，几乎所有非晶态半导体都具有本征半导体的性质。 非晶态半导体由于它的非结晶性，因此无方向性，所以没有结晶、提纯、杂质控制等复杂工艺。故非晶态半导体便于大量生产，并且价格低廉。 非晶态半导体的种类有：共价型和离子键型。共价型有三种：①四面体型；② “链状”型；③ 交链网络型。离子键型主要是氧化物玻璃。 ;通常的半导体硅器件的工作温度不超过200℃，而航空航天等军事工业要求工作温度为500℃以上，常规半导体器件在高温时易被热击穿和烧坏。另外．由于本征激发产生的载流于浓度增加，造成稳定性恶化。而本征激发载流子浓度随禁带宽度的增加而降低。 禁带宽度大和耐高温的半导体主要有氧化锆(ZrO)、碳化硅(SiC)和人造金刚石膜两种。;二、 超导材料;2 、超导临界温度的历史;低温时变成超导的元素和对应的Tc;超导态的条件： （1）材料的电阻为零 （2）具有完全抗磁性;;：磁力线完全不能进入超导体;5、超导机理; + ;;超导体的发展史和前景;4、高分子导电材料;导电高分子已研究的有：共扼高聚物、高分子传荷复合物、共盐聚合物、金属高聚物和非碳高聚物等。此外还有离子导电的高分子电解质，但其电导率很低(小于10-9s/cm)，一般不把它作为导电高分子。;共轭高聚物：聚乙炔、聚苯乙炔、聚对苯、聚苯胺等 掺杂剂： 通过掺杂后导电率可达到半导体，甚至导体的水平。 ;高分子传荷复合物：电子结合体型聚合物（聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯咔唑、聚乙烯毗啶）+小分子电子受体如含氰和硝基的有机化合物及高氯酸盐组成。 离子自由基盐聚合物（共盐聚合物） 金属高聚物： 将金属原子引进到高分子链上，成为带金属原子的高聚物分子链。;复合型高分子导电材料 （conductive polymeric composites） 导电高分子复合材料，由高分子