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12现象:电磁波入射到不同媒质分界面上时,一部分波被分界面反射,一部分波透过分界面。入射方式:垂直入射、斜入射;媒质类型:理想导体、理想介质、导电媒质分析方法:3本章内容6.1均匀平面波对分界面的垂直入射6.2均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射6.3均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射6.4均匀平面波对理想导体表面的斜入射46.1均匀平面波对分界平面的垂直入射本节内容6.1.1对导电媒质分界面的垂直入射6.1.2对理想导体表面的垂直入射6.1.3对理想介质分界面的垂直入射56.1.1对导电媒质分界面的垂直入射沿x方向极化的均匀平面波从媒质1垂直入射到与导电媒质2的分界平面上。z0中,导电媒质1的参数为z0中,导电媒质2的参数为6媒质1中的入射波:媒质1中的反射波:媒质1中的合成波:7媒质2中的透射波:在分界面z=0上,电场强度和磁场强度切向分量连续,即8定义分界面上的反射系数Γ为反射波电场的振幅与入射波电场振幅之比、透射系数τ为透射波电场的振幅与入射波电场振幅之比,则讨论:和是复数,表明反射波和透射波的振幅和相位与入射波都不同。若两种媒质均为理想介质,即1=2=0,则得到96.1.2对理想导体表面的垂直入射媒质1为理想介质,σ1=0媒质2为理想导体,σ2=∞媒质1中的入射波:媒质1中的反射波:10媒质1中合成波的电磁场为合成波的平均能流密度矢量瞬时值形式理想导体表面上的感应电流11合成波的特点(n=0,1,2,3,…)(n=0,1,2,3,…)媒质1中的合成波是驻波。电场振幅的最大值为2Eim,最小值为0;磁场振幅的最大值为2Eim/η1,最小值也为0。12坡印廷矢量的平均值为零,不发生能量传输过程,仅在两个波节间进行电场能量和磁场能量的交换。两相邻波节点之间任意两点的电场同相。同一波节点两侧的电场反相。13例6.1.1一均匀平面波在自由空间中沿+z方向传播,其电场强度矢量为解:(1)电场强度的复数表示(1)求相伴的磁场强度;(2)若在传播方向上z=0处,放置一无限大的理想导体平板,求区域z0中的电场强度和磁场强度;(3)求理想导体板表面的电流密度。14写成瞬时表达式(2)反射波的电场为反射波的磁场为15在区域z0的合成波电场和磁场分别为(3)理想导体表面电流密度为166.1.3对理想介质分界面的垂直入射设两种媒质均为理想介质,即1=2=0讨论当η2η1时,Γ0,反射波电场与入射波电场同相。当η2η1时,Γ0,反射波电场与入射波电场反相。17媒质1中的入射波:媒质1中的反射波:媒质1中的合成波:媒质2中的透射波:18合成波的特点这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波(混合波)19合成波电场振幅(0)20合成波电场振幅(0)21驻波系数S定义为驻波的电场强度振幅的最大值与最小值之比,即驻波系数(驻波比)S讨论当Г=0时,S=1,为行波。当Г=±1时,S=,是纯驻波。22例6.1.2在自由空间,一均匀平面波垂直入射到半无限大的无耗介质平面上,已知自由空间中,合成波的驻波比为3,介质内传输波的波长是自由空间波长的1/6,且分界面上为驻波电场的最小点。求介质的相对磁导率和相对介电常数。由于界面上是驻波电场的最小点,故23媒质2中的平均功率密度媒质1中沿z方向传播的平均功率密度电磁能流密度24例6.1.3已知媒质1的εr1=4、μr1=1、σ1=0;媒质2的εr2=10、μr2=4、σ2=0。角频率ω=5×108rad/s的均匀平面波从媒质1垂直入射到分界面上,设入射波是沿x轴方向的线极化波,在t=0、z=0时,入射波电场的振幅为2.4V/m。求:解:(1)25(2)(3)1区的电场26(4)故或276.2了解均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射本节内容6.2.1多层介质中的场量关系与等效波阻抗6.2.2四分之一波长匹配层6.2.3半波长介质窗28电磁波在多层介质中的传播具有普遍的实际意义。以三种介质形成的多层媒质为例,说明平面波在多层媒质中的传播过程及其求解方法。如图所示,当平面波自媒质①向分界面垂直入射时,在媒质①和②之间的分界面上发生反射和透射。当透射波到达媒质②和③的分界面时,又发生反射与透射,而且此分界面上的反射波回到媒质①和②的分界面上时再次发生反射与透射。由此可见,在两个分界面上发生多次反射与透射现象。6.2.1多层介质中的场量关系与等效波阻抗29媒质①和②中存在两种平面波,其一是向正z方向传播的波,另一是向负z方向传播的波,在媒质③中仅存在向正z方向传播的波。因此,各个媒质中的电场和磁场强度可以分别表示为3031在计算多层媒质的第一个分界面上的总反射系数时,引入等效波阻抗概念可以简化求解过程。则媒质②中任一点的波阻抗为3233利用等效波阻抗计算n层媒质的第一条边界上的总反射系数时,首先求出第(n2
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