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稳态时: 光 照 x 0 边界条件 中心谷： 卫星谷： 谷2（卫星谷）： E-k曲线曲率小 1 电场很低 2 电场增强 3 电场很强 2 Negetive differential conductance 负微分电导 NDC 在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小。 负的微分电导（negetive differential conductance）。 NDC 热载流子 强电场 速度饱和 进入介质层 碰撞电离 3. 强电场效应对器件的影响 第4章 半导体中电子的状态 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的电子数） 4.6 载流子的扩散（Diffusion） 一.净扩散 Dn---电子扩散系数（ electron diffusion coefficients） ——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 扩散定律 在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率 稳态时，积累 损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 一维求解 （1）若样品足够厚 （2）若样品厚为W（W ∞ 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n W 0 ?n 0 ? n 0 得 当W Ln时， 相应的 Sn 常数 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 若样品足够厚 在光照和外场同时存在的情况下: （2）总电流密度 二.爱因斯坦关系 平衡条件下： Einstein Relationship 内建电场 最后得 同理 连续性方程 扩散、漂移、复合等运动同时存在时，少数载流子的运动方程。 以一维p型为例来讨论： ε 光照 在外加条件下，载流子未达到稳态时，少子浓度不仅是x的函数，而且随时间t变化： 三.载流子的完整运动 积累率 复合率 其它产生率 *电子积累率： 电子的扩散和漂移流密度
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