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材料性质 碳化硅（SiC ） 在用新型半导体材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅 (SiC ) 功率器件。它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级，碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点: 高的禁带宽度，高的饱和电子漂移速度，高的击穿强度，低的介电常数和高的热导率。 ;导体：价带与导带交叠，电子从价带移动到导带只需很小的能量。 绝缘体：有很大的禁带宽度分隔开价带和导带，电子从价带移动到导带很困难，有很低的电导率和很高的电阻率。 半导体：具有较小的禁带宽度，介于绝缘体和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。这种行为发生在半导体被加热时，因而其导电性随温度的增加而提高。 ;本征半导体： 不含任何杂质和缺陷的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）。 掺杂半导体：把特定的元素引入到本征半导体中，可提高本征半导体的导电性。 两种特性：1.通过掺杂精确控制电阻率 2.电子和空穴导电;砷化镓 1、载流子的迁移率比硅高，寄生电容和信号损耗小，这种特性使得在通信系统中比Si器件更快的响应高频微波并有效地把它们转变为电流。 2、抗辐射能力强。 3、半绝缘特性使得临近器件的欧姆最小化。 4、制造成本较Si大，而且没有天然的氧化物，脆性，有剧毒 ; 晶圆制备 制造SGS过程： 用碳加热硅石来制备冶金级硅 2.通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷 ;特点 直拉法的目的是实现均匀掺杂浓度的同时精确地复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中。 优点：工艺成熟，便于控制晶体外形和电学参数，能成功地拉制低位错、大直径的硅单晶，尤其制备10-4Ω?cm特殊低阻单晶。; 缺点：难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染，因而只能生产低阻单晶。另外，由于存在杂质分凝效应和蒸发效应，以及搅拌不均匀所形成的界面杂质积累层等，还会使拉制的硅单晶沿轴向的电阻率不一致，杂质缺陷较多。 ; 硅中含氧的优缺点： 1，作为吸附原子束缚在硅制造过程中的金属玷污 2.提高了硅的抗屈程度 缺点 引起材料电阻率变化 影响少数载流子的寿命 硅中缺陷的主要形式：1点缺陷（空位 间隙原子和弗伦克尔缺陷）2位错（原生和诱生位错）3层错 ;3.5.6影响晶体生长速率的参数 1、温度和拉晶速率，先进单晶炉使用计算机控制。用负反馈系统来监视温度，单晶硅直径，控制拉晶速率和加热功率。 2、系统的气体流量和单晶及坩埚的转数，普遍使用红外线温度传感器。在熔料与单晶硅界面处聚焦测温，并用激光监视单晶硅的直径和熔料液面。 ;产生缺陷影响因素 1.生长速率（晶体以多快的速度拉制） 2.晶体熔体界面间的温度梯度（熔体和固 体晶体 之间的温度差） 3.半导体制造中的热处理也会导致点缺陷 的产生 如果晶体冷却速率得到控制，就会减少缺陷的产生;1、高温工艺过程引入的位错： ; 外延 4.2外延生长动力学原理 ;4.2.1 一般过程 H2还原SiCl4法的化学反应式为： 在生长表面得到游离态的Si原子，析出的Si原子在高温下携带大量的热能，便沿着表面滑动（扩散） 到适当位置，按照一定的晶向加接到晶格点阵上，并释放能量，固定成为晶格点阵的新成员。;外延生长包括下列连续步骤： 1.反应剂质量从气相转移到生长层表面 2.反应剂分子被吸附在生长层表面 3.在生长层表面进行化学反应，得到Si原子和其他副产物 4.副产物分子脱离生长层表面的吸附 5.解吸的副产物从生长表面转移到气相，随主流气体逸出反应室 6. Si原子加接到晶格点阵上 ;4.2.3生长速率讨论 表面反应控制 当 时，化学反应进行得慢，反应剂可以充分供给，因此在附面层中反应剂浓度几乎是分布均匀的；外延生长速率主要取决于表面化学反应进行得快慢，所以 ;质量转移控制 当 时，在外延层表面上的化学反应进行得相当快，凡是转移到表面上的反应剂分子瞬间就可以变成硅，因此表面上的反应剂几乎为零，外延生长速率主要取决于反应剂由气相转移到生长表面的快慢，所以;4.3 影响外延生长速率的因数 反应剂浓度:为兼顾结晶的完美性和其他要求，反应剂浓度不宜太大。 ;生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关。由下图可知，圆形管沿基座横向，外延层厚度是中间厚、两边薄；矩形腔的均匀性较圆形腔好。 ;4.6.3 减少自掺杂的方法 1.为避免硼的