数字逻辑第3章组合逻辑电路课程方案.ppt

第 3 章 组合逻辑电路 ;3.1 逻辑门电路;根据电路集成度规模分类;3.1.1 逻辑电平与正、负逻辑;2. 正逻辑和负逻辑; 对于同一电路，可以采用正逻辑，也可以采用负逻辑。正逻辑和负逻辑的规定不涉及逻辑电路本身的结构与性能好坏，但不同的规定可以使同一电路具有不同的逻辑功能。可以运用反演规则实现正、负逻辑的相互转换。一个正逻辑与门输入为A、B，输出 ，运用反演规则有 ，即正逻辑与门等价于负逻辑或门。 在本教材中，若无特殊说明，约定按正逻辑讨论问题，所有门电路的符号均按正逻辑表示。;3.1.2 半导体器件的开关特性;1. 半导体二极管的开关特性; 当二极管正极与负极之间的电压差低于其导通阈值时，二极管呈现很大的电阻，流过二极管的电流极小，此为二极管的截止状态，可以等效为二极管两端断开。 二极管由反向截止转换为正向导通所需的时间，一般称为开启时间。因为二极管正向导通时电阻很小，与二极管内PN 结等效电容并联之后，电容作用不明显，所以转换时间很短，一般可以忽略不计。二极管由正向导通转换为反向截止所需的时间，一般称为关断时间。二极管反向截止时电阻很大，PN 结等效电容作用明显，充放电时间长，一般开关管的关断时间大约是几纳秒。; 利用二极管的单向导电开关特性，可以用它构成逻辑门。图3-3、3-4分别给出了二极管构成的与门与或门的电路图。 图3-3 二极管构成的与门 图 3-4 二极管构成的或门;2. 半导体三极管的开关特性; 对于图3-5（a）的电路，当输入电压Vi为高电平，三极管进入饱和导通，输出为低电平（Vce近似为0）。 当输入电压Vi为低电平时，基极与发射极间二极管截止，此时三极管处于截止状态，输出为高电平（Vce接近为+5V）。 三极管开关电路就是一个“非”门，又称为反相器，其输出的电压特性如图3-5（b）所示。;3.1.3 TTL与非逻辑门;2、TTL与非门电路工作原理; 当两个输入中至少一个为低电平时，VT1的基极通过电阻R1接在+5V上，VT1饱和导通，则VT2的基极电位为低电平，VT2进入截止状态。此时VT2的集电极与发射极之间近似开路，导致流过R2、R3的电流近似为0，这样在两个电阻上几乎没有压降，所以VT5的基极电位接近0V，导致VT5截止。而VT4基极通过R2接到+5V，导致VT4饱和导通。因为输出端空载，流过 VT4和VD3的仅是VT5的漏电流，其值很小，则输出F点电位近似为+3.6V（5V-0.7V-0.7V=3.6V），输出为高电平。 综上所述，整个电路实现了“与非”关系，即 。;3、TTL逻辑门的外特性; （3）开门电平VON与关门电平VOFF 与非门在额定负载下输出达到标准低电平VSL时，允许输入的高电平的最小值称为开门电平VON。只有输入电平大于VON，与非门才进入开门状态，输出低电平。即开门电平VON是为使与非门进入开通状态所需要输入的最低电平。VON的典型值为1.5V，产品规范值为VON≤1.8V。当输入高电平受负向干扰而降低时，只要不小于开门电平VON，输出仍然保持低电平。所以开门电平愈小，表明电路抗负向干扰能力愈强。 ; 与非门输出空载时，使输出电平达到标准高电平VSH的输入电平称为关门电平VOFF，它表示使与非门关断所允许的最大输入电平。VOFF 的典型值为1V，产品规范值VOFF≥0.8V。当输入低电平受正向干扰而增加时，只要不大于关门电平VOFF，输出仍能保持高电平。所以关门电平愈大，表明电路抗正向干扰能力愈强。 （4）扇出系数NO 扇出系数是指一个与非门输出端连接同类门的最多个数，它表示与非门的带负载能力。对TTL与非门，NO ≥ 8。;3.1.4 OC门和TS门;1、集电极开路门; OC与非门与普通与非门电路的差别仅在于三极管VT5的集电极是开路的，这就把一般TTL门电路的推拉式输出级改为三极管集电极开路输出。由于内部并没有集电极负载，使用时必须在电源和输出端之间外接一个适当的上拉负载电阻RL，从而保证即使输出低电平也不会因负载电流过大而烧毁芯片。 下面给出了OC门的一些应用。;;2、三态输出门（TS门）;图3-14 三态与非门电路和逻辑符号; 三态门的基本用途就是能够实现用一根导线轮流传输几个不同