卓越班现代检测第2章答案.ppt

第2章 位移检测 ;从本章开始，依次阐述各种常见被测参数的检测技术。 基本阐述方法是首先对该被测参数的主要检测方法进行整体的、概要的介绍，然后择其一二进行较详细的阐述，以便兼顾教学内容宽度与深度的统一。;位移就是位置的移动量。物体或质点作直线运动时的位移称为线位移，作旋转运动时的位移称为角位移。 在自动检测技术领域，位移检测具有基础性： （1）位移是运动控制系统的基本参数； （2）位移是传感检测学科中很多被测参数的中间变量。很多被测参数可以通过先转换为位移、然后再通过一定的传感原理进一步将位移转换为电参数。 这种多级转换的策略，正是传感检测技术功能强大、魅力无穷的重要原因之一。 ;首先综述各种常用位移检测方法； 然后以： （1）差动变压器； （2）感应同步器； 为例，对相应的检测技术进行较深入的阐述。;2.1 常用位移检测方法;电位器式位移传感器;电阻应变式位移检测方法;电阻应变式位移传感器的基本原理是首先借助某种机械结构，将被测位移转换为应变，再通过电阻应变片将应变转换成传感元件电阻值的变化，然后由转换电路将电阻值的变化变成电压信号、电流信号等电信号输出，从而完成位移量到电量一一对应的转换，实现位移量这种非电量的电测量。 优点：结构简单，能测微小位移； 缺点：易受温度、湿度、机械冲击的影响。 参考指标：测量范围可达100mm，测量精度一般为 ±0.1%FS~±0.5%FS。;2.1.2 电感式位移检测;变气隙式自感传感器;图2.1单线圈变气隙长度式自感传感器;优点：结构简单、灵敏度高、输出功率大； 缺点：测量范围小、线性范围小、电磁引力大； 参考指标：测量范围一般为0~0.1mm，测量误差为±2%；螺旋管电感式位移传感器灵敏度高、测量精度高，但体积较大、响应速度低，其测量范围可达±125mm，测量误差一般为±（0.1~0.5）%。 ;电涡流位移传感器;图2.2 电涡流效应;线圈与导电材料之间存在磁的联系。若把导电材料看成一个具有内阻的线圈，则图2.2可用图2.3所示的等效电路表示。M为互感参数，表征线圈与导电材料之间磁联系的强弱。;若能保持上述;电涡流位移传感器又有阻抗变化式和电感变化式之分。 阻抗变化式线性好、不受非导电介质的影响，测量范围可达0~100mm，测量误差一般为±1%； 电感变化式测量范围可达0~1.5mm，测量误差一般为±2.5%。 差动变压器灵敏度高、测量精度高，但体积大、响应速度低，测量范围可达±625mm，测量误差一般为±2%。 ;电感式位移传感器直接测量的物理量是位移，配合不同的初级变换元件，可测量其它各种物理量，如力、振动、转速、流量等非电量。 电感式传感器已成为传感器大家族中的重要一支，得到了广泛应用。;2.1.3 电容式位移检测;原理：固定ε和S、d其中之一，S、d其中的另一个参数发生变化时，电容量C随之变化，于是可将该参数的变化一一对应地转换为电容量的变化。它有变极板距离型和变面积型两种结构形式。 变极板距离型电容式位移传感器灵敏度高、测量力小、动态特性好，但测量范围小、需要良好屏蔽和密封，一般测量范围为-0.05~+0.05mm，测量误差为±1%。 变极板面积型电容传感器的传感特性曲线为线性特性，但其灵敏度较低，一般用于测量较大线位移或角位移，测量范围为0~250mm，测量误差为±0.01%。;2.1.4 光电式位移检测;外光电效应及其器件;真空光电管;图2.4 光电管的结构;充气光电管;光电倍增管;图2.5 光电倍增管的结构及电路;倍增系数与所加电压有关。常用光电倍增管的基本电路如图2.5(b)所示，各倍增极电压由电阻分压获得。光电流在负载电阻RL上形成压降、输出电压信号。 一般阳极与阴极之间的电压在1000V~2500V之间，两个相邻倍增电极的电位差在50V~l00V之间。所加电压越稳定越好，以便减少倍增系数波动所引起的测量误差。;光导效应及其器件;光敏电阻;光敏电阻的电极一般采用梳状，梳状结构在间距很近的电极之间有可能采用大的极板面积，所以提高了光敏电阻的灵敏度。 实际的光敏电阻的暗电阻一般在兆欧数量级，亮电阻在几千欧以下，暗电阻和亮电阻之比，一般在102~106之间。;光敏二极管;如果入射光照度变化，则光生电子—空穴对的浓度也相应变动，通过外电路的光电流大小也随之变动。可见光敏二极管能将光信号转换为电信号输出。反偏条件下，光敏二极管不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。;光敏晶体管;光生伏特效应及其器件——光电池;光电池就是基于这种光生伏特效应，直接将光能转变为电动势的光电器件。光电池的种类很多，有硒光电池、氧化亚铜光电他、锗光电池、硅光电池、磷化镓光电池等。 ;2 光电式位移传感器的基本组成;光电式传感器中的光源可采用白炽灯、气体放电灯、激光器、发光二极