模拟电子地电路第4章_浅析.pptVIP

第四章 MOS模拟集成电路的基本单元电路; 第一节 MOS场效应管的特点;（6）MOS场效应管跨导gm较低（约为双极型晶体管的1/40），所以为了提高增益，减小芯片面积，常采用有源负载。 （7）MOS场效应管存在背栅效应（也称衬调效应），为了减小栅源电压对漏极电流的影响，要保证衬底与沟道间的PN结始终处于反偏。 （8） MOS场效应管的不足之处除了跨导gm较低以外，还有其工艺一致性较差、输入失调电压大、工作频率偏低，低频噪声较大等。; 第二节 MOS场效应管的模型; 第二节 MOS场效应管的模型;一、场效应管的直流偏置电路;上述电路中RS起直流反馈作用，RS大，Q稳定； 但RS大Q点低。 问题：Q点低不仅使A?，且由于接近夹断，非线性失真加大。;(2)对增强型MOSFET:;UG=UDDR2/(R1+R2) UGS= UG－US= UG－IDRS ID= IDSS[1－(UGS /UGS.off)]2 UDS= UDD－ID(Rd+RS);电压增益为;放大电路的输入电阻为;共漏放大电路;求输出电阻;（三） 共栅基本放大电路;输入电阻为:;MOS管三种组态基本放大电路的基本特性;（一）增强型（单管）有源负载;（二）耗尽型 （单管）有源负载;第五节 MOS管电流源;（二）具有多路输出的几何比例电流源;第六节 MOS单级放大电路;（一）E/E型NMOS单级放大电路;特点： 1. 由于ST1、ST2受工艺限制不能随意增加，AUE只能达到 5-10倍（较小）。 2. 输入电阻决定于VT1管的栅绝缘电阻，阻值很高，一 般可达1010? 。;（二）E/D型NMOS单级放大电路;输入电阻：Ri1010? ;（三）CMOS有源负载放大电路;优点： 1. 电压增益高，g ds比gm或gmb小1~2个数量级，故在 同样工作电 流条件下，AU远高于AUE、AUD --几百倍乃至上千倍。;（四）CMOS互补放大电路;四种常用MOS单级放大器性能比较;第七节 MOS管差分放大电路;MOS管差分放大电路的分析;第八节 CMOS管功率放大电路;第九节 MOS模拟开关及开关电容电路;一、单管 MOS传输门模拟开关;保证MOS模拟开关正常工作的条件;二、开关电容电路（简称SC电路）;（一）并联型SC等效电阻电路;在周期TC内，从U1流向U2的平均电流为：;工作原理;本章小结