第八章：蒸发与溅射研讨.ppt

第八章：蒸发与溅射;8.1 引 言;薄膜沉积技术分类;8.2 蒸发工艺原理;简单的蒸发系统;电子束蒸发的概念： 其成膜材料的加热方式是电子束加热，在高真空 中，电子枪发出电子经系统加速聚焦形成电子束、 再经磁场偏转入射到坩锅的成膜材料上将其加热， 并使之变成气态原子沉积到硅片上的物理过程。 在蒸发技术中，电子束蒸发占主流。 ;电子束蒸发系统;电子束蒸发设备： ;电子束蒸发系统的组成： 1. 高压电源系统 2. 真空系统 3. 电子加速聚焦偏转系统 4. 工艺腔 5. 水冷坩锅系统（通常为带旋转的四坩锅） 6. 载片架 ;电子束蒸发过程 1. 在高真空腔中，电子枪发射的电子经加速获得足 够的动能并聚焦形成电子束。 2. 电子束经磁场偏转，向成膜材料轰击加热并使之 蒸发 3. 成膜材料蒸发出的原子或分子在高真空环境下的平均自由程增加，并以直线运动形式撞到硅片表面凝结形成薄膜。; 蒸发的优点： 1. 沉积速率高，常用于功率器件的厚金属化 电极（厚度达到5.0μm） 蒸发的缺点： 1. 台阶覆盖能力差 2. 不能沉积金属合金 因缺点1，大规模IC工艺中，蒸发被溅射所替代;8.3 溅射工艺原理;溅射过程 溅射有6个基本步骤： 1. 在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有 负电势的靶材料加速； 2. 在加速中离子获得动能，并轰击靶； 3. 离子通过物理过程从靶表面撞击出（溅射）原子； ; 4. 被撞击出（溅射）的原子迁移到硅表面； 5. 被溅射的原子在硅片表面凝聚并形成膜。薄膜 具有与靶相同的材料组分； 6. 多于粒子由真空泵抽走。 ;溅射过程;溅射过程;溅射离子的能量范围 0.5KEV～5.0KEV 能量太小轰击不出来靶材料原子，能量太大产生氩离子注入现象。 溅射率（溅射产额）每个入射离子轰击出的靶原子数 影响溅射率的因素 1. 轰击离子的入射角 2. 靶材料的组分和它的几何因素 3. 轰击离子的质量 4. 轰击离子的能量; 溅射的优点： 1. 台阶覆盖能力好 2. 能沉积金属合金（成膜组分与靶材组分相同） 溅射的缺点： 1.沉积速率低 ; 溅射系统分类 1. RF（射频）溅射系统 2. 磁控溅射系统 3. IMP（离子化的金属等离子??）系统 RF（射频）溅射系统缺点：溅射速率低。 磁控溅射系统是现代IC制造应用最广泛的系统。 IMP的优点：填充高深宽比的通孔和狭窄沟道能力强，满足深亚0.25μm的应用。;RF（射频）溅射系统;磁控溅射的概念 磁控溅射是一种高密度等离子体溅射，是利用靶表面附近的正交电磁场使电子平行靶表面做回旋运动，从而大大增加了与氩原子的碰撞几率，显著地提高了等离子体区的Ar离子密度，使溅射速率成倍增加。 在溅射技术中，磁控溅射占主流。 ; 磁控溅射的优点： 1. 比普通溅射的溅射速率提高了5～40倍 2. 使用射频电源，能溅射介质 3. 溅射时基片温升低（基本上不受电子轰击，二次电子损伤小） ;磁控溅射系统的组成 磁控溅射设备非常复杂，系统主要由7个部分组成： 1. 高压射频电源及电气系统 2. 真空系统 3. 工艺腔 4. 靶组水冷系统 5. 传片系统 6. 载片架 7. 氩气供给系统;磁控溅射系统;磁控溅射靶组件;8.4 蒸发和溅射的比较;8.5 先进的金属化技术; 3. 接触 — 硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅 表面的连接。 4. 通孔 — 穿过各层介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口。 5. 填充薄膜 — 金属薄膜填充通孔以便在两层金属 层之间形成电连接。 ; 现代集成电路对金属膜的要求 1. 电阻率低：能传导高电流密度 2. 粘附性好：能够粘附下层衬底实现很好的电连接，半导体与金属连接时接触电阻低 3. 易于沉积：容易成膜 ; 4. 易于光刻与刻蚀：对下层衬底有很高的选择比，易于平坦化 5. 可靠性高：延展性好、抗电迁徙能力强 6. 抗腐蚀性能好 7. 应力低：机械应力低减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。 ;集成电路金属化技术常用金属的熔点和电阻率;集成电路金属化技术常用的金属种类 铝 铝铜合金 铜 阻挡层金属 硅化物 金属填充塞;铝 铝的优点 1. 电阻率低（2.65μΩ.cm） 2. 与硅和二氧化硅的粘附性好 3. 与高掺杂的硅和多晶硅有很好的欧姆接触（合金 化温度450～500℃） 4. 易于沉积成膜 5. 易于光刻和刻蚀形成微图形; 6. 抗腐蚀性能好，因为铝表面总是有一层抗腐蚀性 好的氧化层（Al2O3） 7. 铝的成本低