第四章、计算机控制实例N研讨.ppt

材料工程 计算机技术应用;第四章、材料制备计算机控制应用实例;4.1单片机电阻炉温度控制系统;4.1.1系统构成;;热电偶输出信号经过一个放大电路，使检测信号与模拟数字转换电路输入信号相匹配（一般是0～5V）； 模拟数字转换电路使用多路 12位转换电路，在0～1200℃测温范围内分辨率约为0.3℃； 同时对环境温度采样，解决热电偶冷端温度补偿； 温度控制通过触发双向可控硅导通周期数调整供给电阻炉加热元件供电的单相交流电源功率。 ;4.1.2控制策略;⑵控制算法 依据温度控制过程不同的变化阶段，采用不同的算法。保温阶段且差值较小时使用PID算法；升、降温和有中等差值时采用PD算法；差值较大时直接采用双位控制。常规离散PID算式为： 若令： KI= KP（TS / TI ）为积分系数；KD= KP（TD／TS）为微分系数，则上式可写为： ;;4.1.3程序设计;;;4.2半导体气相沉积外延生长控制系统;4.2.1 GaN基发光二极管及工艺;;;;4.2.2MOCVD反应室结构;;4.2.3控制系统的功能和构成;⑵控制功能 下层控制由五个部分组成： 配气控制 通过对气路阀门的开关和流量计的反馈控制，按照主机指令选取气源的种类进行混合或单独按设定的流量向反应室供气。 装载控制 控制机械手完成基片装载过程。 排气控制 控制真空泵完成：排出反应室和装载室原有气体，建立真空进行反应前净化处理；配合反应室的进气量，调节反应室达到合适的压力差；排出反应室下部已参加反应完的废气，避免废气对外延生长可能的污染和影响。 ;加热控制 通过外延基片正对的反应室上方的红外温度传感器，不断测量基片表面温度，通过控制调节托盘下部的三个独立加热的环形带状加热元件的加电时间和通电电流实现基片区域均匀的温度控制。温度控制的精度在0.5℃内。 检测系统 D180系统配置了在线光干涉测厚仪。探测光源采用碘钨灯发出450—2000nm波长光源，经过集束光导纤维传送到反应器顶部的会聚透镜。检测光照射到多层结构的外延片表面时形成的光干涉波信号，由光干涉波频率与层间距离的关系，得到外延生长层的厚度和生长速率。检测部分使用了专门的一套计算机和CRT显示器，用于厚度检测的数据处理和图形显示。它可以记录各生长层厚度与时间的关系变化曲线和每一基片外延层的均匀程度。; D180型MOVCD设备大量应用在高亮度蓝-绿发光二极管外延芯片的生产线上。以蓝色GaN发光二极管外延片为例，单台设备生长5层总厚度约5微米的GaN介质层，只需4个小时，一周可生产250片2吋外延片，提供约350万个蓝色发光二极管管芯。;;4.3浮法玻璃生产线集散控制系统;4.3.1浮法玻璃生产过程简介;浮法平板玻璃生产窑炉结构示意;玻璃的成形过程;生产平板玻璃的原料（主要是石英砂、纯碱、长石和石灰石）通过加料系统输送到熔窑部分，在熔窑内进行高温加热到约1550℃熔化。 熔化的玻璃液通过流槽，连续地流入锡槽。根据玻璃液和浮托介质的比重不同，玻璃液漂浮在具有光洁表面的浮托介质上，在重力和表面张力的共同作用下，完成推平、展薄，逐渐降温形成一定厚度的玻璃平板。 待硬化后，经过退火窑传动辊的输送，使玻璃带沿着具有一定温度梯度分布（由电加热元件控制）的退火窑中移动，逐渐降温，消除应力。 最后经纵、横切割、掰段，去边后装箱入库。 ;4.3.2DCS控制系统结构; 本课是DCS在一个中型浮法玻璃生产线的应用实例，它采用了美国Honeywell公司TDC一3000型DCS控制系统，系统结构如下图： ;该系统根据现场操作的需要配置了三台工作站和一台操作站，用以修改和显示生产线各种控制参数，发出控制命令。 历史模件记录生产过程中每个参数的变化及操作情况，作为生产档案资料保存起来，便于过后检查分析生产工艺。 应用模件主要包含系统支持的各种软件包。 上层设备通过局域控制网LCN相互连接。下层的控制模块和管理站使用通用控制网UCN连接,这两个网络都是传输率为5Mb/s的高速通讯网络，他们之间通过网间接口模件连接。 各主要工段采用高级过程管理站控制。 冷端工段以顺序控制为主，使用面向开关量控制的逻辑管理器。 关键工艺的状态检测使用数字化传感器。 ;4.3.3工艺过程的实现;重油经过二级加热，油温与粘度、雾化介质流量与油枪流量的比例进行控制，达到最佳燃油雾化，稳定燃烧； 采用核辐射液位仪对玻璃液位检测进行反馈控制； 熔窑出口玻璃液温度，通过冷却部温度与稀释风流量串级控制，使玻璃液温度稳定在一定范围（1100 ℃ ）。 ;（2）锡槽工段 锡槽设32个电加热器，采用铁铬铪电阻作电热元件； 通过对电加热器的供电功率调节，控制锡液温度，使玻璃液成一定温度梯度变化；