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微电子制造工艺概论;扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。 扩散目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。;本章主要内容;5.1扩散机构;微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 填隙式扩散 替位式扩散 填隙—替位式扩散 ;5.1.1替位式扩散(Substitutional);产生替位式扩散必需存在空位，同时必须获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。 晶体中空位平衡浓度相当低，室温下，替位式扩散跳跃率约每1045年一次。;填隙扩散杂质：主要是I和VIII族元素，如Na，K，Li，H??Ar等，通常无电活性，在硅中以填隙式方式扩散，扩散速度快。;;跳跃率Pi，按照玻尔兹曼统计规律，获得大于能过Wi的几率正比于exp(-Wi／kT) k：玻尔兹曼常数 kT:平均振动能，0.026eV v0：振动频率，1013-1014/s ;5.1.3填隙——替位式扩散;;5.2晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程;5.2.2 扩散方程;  ;;5.2.3 扩散系数;5.2.3 扩散系数;一些杂质在硅