集成电路工艺基础——_06_化学气相淀积预案.ppt

Chap 6 CVD ;MSI时代nMOS晶体管的各层膜; 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较为直接，上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀积层。图中器件的特征尺寸远大于1μm。如图所示，硅片上各层并不平坦，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片制造的限制因素。 随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接，各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一个重要工艺步骤。;ULSI硅片上的多层金属化;芯片中的金属层;薄膜特性;化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition) ;化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition) ;CVD相对于PVD,有什么优点？;CVD outline; CVD的薄膜生长原理;薄膜生长过程;边界层理论;Grove模型（1）;Grove模型（2）;（1）F1=hg(Cg─ Cs) （2）F2=ksCs 其中：hg为气相质量输运系数，ks为表面化学反应速率常数 稳定状态： F1=F2=F ∴ Cs=Cg/(1+ks/hg) （1）hg ks时，Cs趋向Cg，淀积速率受表面化学反应控制 （2）ks hg时，Cs趋向0，淀