扫描电子显微镜1浅析.ppt

;扫描电子显微镜与电子探针 (Scanning Electron Microscope简称SEMand Electron Probe Micro-analysis简称EPMA );扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope简称SEM;前言 第一节 电子与样品物质的交互作用 第二节 扫描电镜原理、结构及性能 第三节 电子图像分析;前言 什么是扫描电子显微镜？;History of SEM;直接观察固体样品的表面，得到立体图像，不必复型特点可放大十几倍到几十万倍景深大，放大图像立体感强样品处理简单样品尺寸可较大 120*80*50mm三度空间平移旋转成分分析;例子;与普通显微镜的差别;第一节 电子与样品物质的交互作用;（一）电子与样品物质的交互作用区; 分类： 弹性散射仅使入射电子运动方向发生偏离， 引起电子在样品中的横向扩散。 非弹性散射改变电子的运动方向，同时能量衰减，直到被样品吸收，因此限制入射电子在样品中的扩散范围。 ; 影响因素： 原子序数、入射电子的能量、样品的倾斜角。;弹性散射截面正比于原子序数，即电子在低原子序数的固体样品中，电子偏离原方向的程度较小，而穿透的更深；; 同一物质的样品，作用区的尺寸正比于入射电子束的能量。能量取决于加速电压。; 因为电子束有向前散射的趋势，样品的倾斜角度变大，相互作用区减小。 ; 高能电子束入射样品后，经过多次弹性散射和非弹性散射后，在其相互作用区内产生多种电子信号和电磁波信号。;X 射 线 ;1.背散射电子;BSE的能量分布;BSE的产额与原子序数成正比。;BSE的产额受样品的倾斜角影响。;样品微区成分特征（平均原子序数即元素分布）。 样品的形貌特征（与倾斜角相关）。;2.二次电子（SE）;取样深度较浅，一般为表面10nm的SE才能逸出，成为接受信号。;SE对样品的表面十分敏感，其产额与电子束相对于样品表面的入射角θ关系：;Bright;其他信息种类及相应的分析技术：;第二节 扫描电镜原理、结构及性能;（一）扫描电镜工作原理;Beam is scanned over specimen in a raster pattern in synchronization with beam in CRT. Intensity at A on CRT is proportional to signal detected from A on specimen and signal is modulated by amplifier. ;（二）扫描电镜的结构;主要部件： 电子光学系统（电子枪、电磁聚光镜、光阑、样品室） 扫描系统 信号检测及放大系统 图象显示系统 电源系统和真空系统;１.电子光学系统：;;灯丝： 阴极，负高压 发射电子。 阳极（平板）： 接地， 与灯丝间形成对电子的加速场。 栅极： 接负偏压 (相对于阴极)，控制电子束发散。 ;场发射电子枪; ;主要功能：依靠透镜的电磁场与运动电子的相互作用将电子枪中交叉斑处形成的电子源逐渐会聚成为在样品上扫描的极细的电子束（电子探针）。;（2）电磁透镜（电磁聚光镜）;光阑的作用：第一二聚光镜的固定光阑 挡掉无用电子防止对电子光学系统的污染、末级光阑（物镜光阑）改善图象质量;2.扫描系统：;3．信号检测放大系统 ;4．图像显示和记录系统 ;5．真空系统 ;6．电源系统 ;（三）扫描电镜的主要性能;（3）景深;强立体感;（四） SEM样品的制备(P179-180);第三节 电子图像分析;像的衬度：像的各部分(即各像元)信号强度相对于其平均强度的变化。 SEM可以用二次电子、背散射电子、吸收电子、特征X射线（带EDS或WDS）、俄歇电子（单独的俄歇电子能谱仪）等信号成像。最常用的是SE,和BSE ;1．二次电子像衬度及特点 ;SE的形貌衬度影响因素： 1. 倾斜???度,;倾斜角?，DBA;SE的形貌衬度影响因素： 2.阴影衬度,;SE的形貌衬度影响因素： 3.漫射衬度,;(2)成分衬度;二次电子像衬度的特点： ;SE的形貌衬度的应用p183-187;2．BSE像衬度及特点