钛酸钾晶须的制备及应用论述.pptxVIP

钛酸钾晶须的制备及应用15矿业工程汪金飞目录一、引言二、组成三、特性五、生长机理四、制备工艺六、应用引言晶须是一种人工合成单晶材料，它的直径一般为0.1-10微米，长径比为10-100。由于它们的直径小到难以容纳大晶体中的缺陷，因此晶须的物理性能接近于理想晶体的理论值，其强度接近于材料的原子间价键的理论强度，是人们目前所知的纤维状填料中，强度最高，性能最优的复合材料增强体。由于昂贵的成本，投入工业化生产的只有SiC、Si3N4、TiN4、Al3O4、钛酸钾、莫来石等几种。钛酸钾晶须由美国杜邦公司1958年开发出来，最初是由美国航天航空局（NASA）作为土星火箭喷嘴的隔热材料进行使用。钛酸钾晶须具有比玻璃纤维和石墨纤维更为优异的特性，自向公众推广以来的十年间，它的应用范围被不断地拓宽。近年来钛酸钾晶须在制造成本上取得了巨大进步，加之性能十分优异，因此愈来愈受到关注。组成钛酸钾晶须的化学通式为K2O·nTiO2，其结构随着n值的不同而不同，相应的性能也有很大区别。通常n取2、4、6或8。其中以n=4，6，即四钛酸钾和六钛酸钾晶须实用价值最大。四钛酸钾具有良好的化学活性；六钛酸钾具有优良的力学和物理性能、稳定的化学性质、优异的耐腐蚀性、耐热隔热性、耐磨性、润滑性、高的电气绝缘性，还具有红外线反射率高、高温下导热系数极低、硬度低的特点。组成n=2和4时的钛酸钾晶须具有层状结构，层间的K离子可与溶液中的H离子进行交换，因而具有良好的离子交换性能，可作为离子交换材料处理水中的放射性元素。当层间K离子全部交换为H离子后则又变成性能非常优异的TiO2催化材料，可用于光催化处理环境废水等领域。对于n为6和8的钛酸钾晶须则是稳定的隧道状结构，具有物理和力学性能，稳定的化学性质，可作为复合材料增强剂，用于增强增韧尼龙66，显微增强聚四氟乙烯等。其中以n=4，6，即四钛酸钾和六钛酸钾晶须在实用价值最大。钛酸钾晶须特性K2O·6TiO2的物理性质K2O·4TiO2和K2O·6TiO2的化学性质晶须的生长机理晶须的生长过程一般认为包括孕育期、生长期和终止生长期三个阶段。在各种晶须生长机制中，气液固机制（简称VLS机理）、气固机制（简称VS机理）和液固机制（简称LS机理）是比较常见的三种晶须生长理论。同时，晶须的生长机制与其制备方法之间并不是互不相干、彼此独立的，而是有着密切的联系。对同一种生长机制可能存在着几种制备方法，对同一种制备方法也可能存在着几种生长机制。VLS晶须生长机理认为：如果生成晶须的前驱体为物质A和B，那么，在衬底上还必须存在某种特别的“杂质”C，C能与B形成低熔共晶，因而在晶须的生长温度下形成触媒液滴。此液滴不断吸收气相中的A，当晶须材料AB在液相中的溶解度达到饱和时，它就在液固界面上沉积下来，形成晶须。一般来说，晶须按VLS机理生长的过程可大致分为两个阶段。第一阶段：晶须成核向轴向快速生长，保持其截面大小不变；第二阶段：主要是晶须沿直径方向以通常晶体的生长方式较慢生长，其间晶须的截面积增大。其VLS机理晶须生长示意图见图1-2。在众多的晶须制备中，按照VLS机理生长的晶须占有绝大部分。VLS生长机理VS生长机理VS晶须生长机理认为：晶须生长所需的先决条件是(1)氧化或活化的气氛；(2)表面有小的凸出物；(3)存在位错（特别是螺型位错）。在满足这些条件后，在合适的温度下活性气氛将吸附于凸出物（或小的颗粒）表面形成晶核，晶核伴随体系中的热起伏继续生长或分解，当达到某一临界时，晶核稳定沿着位错的伯格斯矢量方向生长形成晶须。在晶须按VS机理生长的实际过程中，气相反应物的过饱和度对晶须的生长有很大的影响，气相物的过饱和度较低时易形成晶须；过饱和度中等时会形成片状、树枝状或晶须与粒晶的混合物；过饱和度很大时，气相反应物将不再形成晶须，而形成颗粒状产物。表1-7列举了部分按VS生长机理生长的晶须。LS生长机理LS晶须生长机理认为：通过液一固反应，成核生长晶须。水热法合成的晶须属于此机理。水热条件下晶体生长包括以下步骤：(1)固体反应物在水热介质中溶解反应，以离子、分子团的形式进入溶液(溶解反应阶段)；(2)由于对流和分子扩散，这些离子、分子或离子团被输运到生长区(输运阶段)；(3)离子、分子或离子团在生长界面上的吸附、分解与脱附；(4)吸附物质在界面上的运动；(5)结晶（3、4、5统称为结晶阶段）。钛酸钾晶须生长机理TiO2是稳定的酸性氧化物,在常温常压下很难与酸或碱发生化学反应。但在高温高压下,TiO2可与KOH反应生成钛酸根,生成的钛酸钾由于过饱和形成了微晶。由于钛酸根和钾离子在某些晶面的生长速度远远超过其它晶面,故形成了各向异性的晶须。实验发现,当反应温度低于200℃时,生成物主要为未反应的TiO2颗粒和钛酸钾块状晶体;在无搅拌下进行反应,结