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酸性蚀刻教育训练教材
酸性蚀刻教育训练教材
酸性蝕刻的應用: 酸性蝕刻,也叫氯化銅酸性蝕刻系統,通常使用於單面板蝕刻、多層 板的內層蝕刻或Tenting流程的外層蝕刻上,因這些製程都用幹膜或液態感 光油墨作為蝕刻阻劑,而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特 性,故選用酸性蝕刻。 二、酸性蝕刻的種類: 1、H2O2/HCl系列。 2、NaClO3/HCl系列。
三、酸性蝕刻製作流程:
1、單面板: 銅面前處理→印刷線路→烘烤固化→酸性蝕刻→去墨 2、內層和外層( Tenting流程): 銅面前處理→壓膜 → 曝光→顯影 →酸性蝕刻 →去膜
內層製作流程簡介
基板
壓膜
壓膜後
曝光
顯影
蝕銅
去膜
PCB 內 層 製 作 流 程 1.下料裁板( 1.下料裁板(Panel Size) 下料裁板
COPPER FOIL
Epoxy Gl
ass
2.內層板壓乾膜(光阻劑) 2.內層板壓乾膜(光阻劑) 內層板壓乾膜
Photo Resist
PCB 內 層 製 作 流 程 3.曝光 3.曝光
光源
Artwork 底片) (底片) Artwork 底片) (底片)
4.曝光後 4.曝光後
Photo Resist
PCB 內 層 製 作 流 程 5.內層板顯影 5.內層板顯影
Photo Resist
6.酸性蝕刻(Power/Ground或 6.酸性蝕刻(Power/Ground或Signal) 酸性蝕刻
Photo Resist
PCB 內 層 製 作 流 程 7.去乾膜 7.去乾膜 ( Strip Resist)
PCB 內 層 製 作 流 程
1、基板
铜箔 基材
2、塗布/壓膜
干/湿膜
铜箔
基材
PCB 內 層 製 作 流 程
3、曝光
底片
铜箔 干/湿膜 基材
4、顯影後
PCB 內 層 製 作 流 程
蚀刻液
5、蝕刻
蝕刻阻劑
6、蝕刻後
7、去膜後
線路
顯 影 (Developing) )
一、顯影的目的: 顯影就是通過化學反應原理,將先前已經曝光好的板子上沒有發生聚 合反應區域的幹膜(或油墨)用顯影液沖洗掉,以得到所需要的線路雛形。 而已感光聚合的部分則沖洗不掉,仍留在板面上成為蝕刻之阻劑膜。
二、顯影的作業條件:
操作參數 顯影液濃度 顯影溫度 顯影液pH 顯影段噴灑壓力 顯影點 水洗水溫度 水洗段噴灑壓力
操作範圍 1~2%之碳酸鈉(重量比) 30 ±2 ℃ 10.5~10.7 1.5~2.5kg/cm2 50~60% 20~30℃ 1.5~2.5kg/cm2
顯 影 (Developing) )
三、顯影液的濃度: 目前業界常用的顯影液是以無水碳酸鈉(Na2CO3)加純水配製而成, 濃度一般為1~2%(質量比),但為了細線路的製作,緩和反應速度,降低 Under-cut,現在顯影液的濃度多控制在1.0%±0.2%。較高藥液濃度可容許 較高幹膜負荷量,但不容易清洗乾淨,且操作範圍較小;反之,過低的藥 液濃度所能承受的幹膜負荷量較小。因此,正確的藥液濃度應與幹膜廠商 研究,依照其幹膜特性來配製。而藥液濃度的檢驗可利用酸鹼滴定來分析。 重點是:為維持槽液濃度的穩定性,確
,必須設置自動添加, 一般以偵控槽液的pH值作自動添加,或計片、計面積添加。 四、顯影溫度: 顯影液溫度是影響顯影速度的最大變數,一般都控制在30±2℃,需 依幹膜種類而定。由於操作時藥液因泵浦的壓縮作用產生大量的熱能會促 使溫度升高,致使有顯影過度的可能,因此顯影槽需加裝冷卻水管來保持 適當的溫度;而溫度過低時,又可能會造成顯影不潔,因此需加裝加熱器 使溫度能達到操作範圍,而得到最佳的顯影效果。
顯 影 (Developing) )
五、顯影壓力: 幹膜與顯影液發生化學反應時會產生膨脹現象(Swelling),因此需要適 當的壓力來沖刷掉表面已作用過的浮層,使乾淨之顯影液能繼續與幹膜產生 化學反應,而 至於發生水池效應。而針對細線路而言,顯影時適當的噴灑 壓力應在1.5~2.5kg/cm2之間。 六、水質硬度: 一般自來水或地下水因含有礦物質及污垢, 長期使用容易與幹膜結合 形成硬垢,造成噴嘴或噴管阻 ,影響噴灑面積,最後導致顯影 潔。因此 建議使用純水搭配碳酸鈉配製成顯影液,會是最佳選。而水洗水一般也選用 經過處理的軟水。 七、過濾: 顯影槽的噴灑系統加裝過濾裝置的主要目的在於避免幹膜殘渣堵塞噴嘴 而造成顯影不潔;另也是防止膜屑、膜渣經過噴灑反沾到板面上,造成後續 的蝕刻不淨或星點狀殘銅,致使生產品質不良,增加AOI檢測的工作量。
顯 影 (Developing) )
八、噴灑系統: 1、搖擺方式:有噴盤來回鋸動式搖擺,及噴管定點自轉式搖擺。噴灑系統設 計搖擺的目的是使藥液能夠均勻、迅速地
噴灑到板面,加快藥液的交換與 反應速度,從而得到良好的均勻
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