模电第03章二极管及其基本电路(康华光)预案.ppt

第三章 二极管及其基本电路;§3.1 半导体的基本知识 一. 导体、半导体和绝缘体 1.导体:容易导电的物质，金属一般都是导体。 2.绝缘体:不导电的物质,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 3.半导体 (1)导电特性处于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 (2)当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。称热敏特性和光敏特性。 (3)往纯净的半导体中掺入某些杂质(其它化学元素)，会使它的导电能力明显改变。 半导体为什么有此性质呢？;硅原子(14);1.形成共价键结构，导电能力较弱,接近绝缘体。; 光照或受热激发使半导体导电能力增强的现象称为本征激发或热激发。 可见：本征激发同时产生电子空穴对。 自由电子——带负电的粒子 空穴——带正电的粒子 自由电子、空穴统称为载流子。 四. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 为何呢？ 1、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。;+4;2、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)。; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;综述与问题 N 型半导体特点: 自由电子很多,空穴很少； 整块N 型半导体示意图:;P型半导体;PN结变薄;2、PN 结反向偏置(加反向电压) ——P区加负、N 区加正电压。;§3.3 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 二极管结构——两层半导体，一个PN结。; 三、伏安特性;其中iD、 vD 的关系为： ;四、PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 1、热击穿 ——热击穿的特征：二极管承受很大反向电压时，反向电流急剧增大，二极管的结电阻为0 ，失去单向导电性，永久损坏二极管，并很容易烧坏PN结。 一般的整流、检波二极管击穿时均为热击穿，因此在实际使用中应避免热击穿。 2、电击穿 ——电击穿的特征：可逆。在反向电压作用下反向电流急剧增大，但只要结功率不超过耗散功率 ，电流不超过最大值，就不会损坏二极管，当反向电压降低后，二极管仍可恢复原来的工作状态。 稳压二极管(齐纳二极管)击穿时一般为电击穿。;RD ≈0;2、当二极管上加反向电压时 (即PN结反向偏置);RL;六、PN结的电容效应 1、势垒电容CB 当PN结外加反向电压发生变化时，耗尽层(PN结)的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。 ;2、扩散电容CD 当PN结外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。 ;七、二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压UBR 是保证二极管不被击穿而给出的反向电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高IRM越大。硅管的反向电流较小( nA级)，锗管的反向电流较大(?A级)，为硅管的几十到几百倍。 4. 极间电容Cd Cd＝CB + CD 5. 反向恢复时间TRR ;6.半导体二极管、三极管的型号(国家标准);二极管总结 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。;§3.4 二极管的基本电路及其分析方法 一、模型法 1、理想模型(理想二极管) 理想模型将二极管看成： 死区电压=0 ；导通正向压降=0； 反向饱和电流=0 ；反向击穿电压=∞。 理想二极管模型;U D为二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。;i;US为恒定电压； ui为动态小信号电压。设：ui＝ Um sin?t 若电路工作在线性段，则根据叠加定理，电路可等效为：;US为恒定电压； ui为动态小信号电压。ui＝ Um sin?t 显然，二极管上的电