模电第一部分半导体器件基础预案.ppt

下载文档 降价啦

2
0
约小于1千字
约 41页
2016-07-19 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

模电第一部分半导体器件基础预案.ppt

1、本文档共41页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

第一部分半导体器件基础; 第一讲半导体基础知识;二、本征半导体的导电特性;+4;２、本征激发;三、杂质半导体的导电特性; 三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空位。邻近共价键中的价电子填补此空位时，在原共键中便留下一个空穴。;2、N型半导体的形成及特性;四、PN结的形成及特性;2、PN结的特性; b、击穿性; PN结的击穿并不意味着损坏。; c、电容性;外加反偏电压变化时也具有相同的效应。理论推导得：;根据理论分析不对称结的CD为：; 第二讲晶体二极管;3、平面型二极管;二、二极管的伏安特性;正向特性; 三、二极管的主要参数;四、D的等效电路及应用; 2. 恒压降模型; 3. 折线模型; 4. 小信号模型;应用举例; 2. 限幅电路; 第三讲晶体三极管;二、电流分配关系及放大作用; 要使各区的功能能够发挥出来，就必须满足以下???条件（外部条件）：;1、晶体管内部载流子的传输过程;2、电流分配关系;根据 IB=（1－α) IE －ICBO 得：;①、放大电路的三种组态;②、放大作用;RL;三、晶体管的特性曲线;iC=f(vCE)? iB=const; 饱和区; 截止区;四、晶体管的主要参数;思考题：