低频电子线路第6章技巧.ppt

* 第 6 章　集成运算放大器及其应用电路 集成运算放大器是将多个晶体管集成在一小块硅片上实现高增益放大功能的一种集成器件。 实现集成运放的工艺主要有双极性工艺、MOS工艺和BiCMOS工艺。 双极性集成运放：转换速率快、驱动能力强、失调和温漂小 MOS集成运放：具有输入阻抗高、功耗低 BiCMOS集成运放：兼有两者优点 集成运放应用电路的组成原理 　　根据集成运放自身所处的工作状态，应用电路分为：线性应用电路和非线性应用电路两大类。 线性应用电路 - + A Z1 Zf vo vs1 vs2 i 　　Z1 或 Zf 采用非线性器件 如三极管 ，则可构成对数、反对数、乘法、除法等运算电路。 　　Z1 或 Zf 采用线性器件 R、C ，则可构成加、减、积分、微分等运算电路。 组成：集成运放外加深度负反馈。 　　因负反馈作用，使运放小信号工作，故运放处于线性状态。 非线性应用电路 - + A vO vI VREF 组成特点：运放开环工作（包括正反馈）。 　　由于开环工作时运放增益很大，因此较小的输入电压，即可使运放输出进入非线区工作。例如：电压比较器、振荡器等。 集成运放理想化条件下两条重要法则 理想运放 失调和漂移?0 推论 因 则 因 则 电源电压抑制能力无穷大 说明： 相当于运放两输入端“虚短路”。 　　虚短路不能理解为两输入端短接，只是 v– - v+ 的值小到了可以忽略不计的程度。实际上，运放正是利用这个极其微小的差值进行电压放大的。 　　同样，虚断路不能理解为输入端开路，只是输入电流小到了可以忽略不计的程度。 相当于运放两输入端“虚断路”。 　　实际运放低频工作时特性接近理想化，因此可利用“虚短、虚断”运算法则分析运放应用电路。此时，电路输出只与外部反馈网络参数有关，而不涉及运放内部电路。 集成运放基本应用电路 反相放大器 - + A R1 Rf +- vs vo if i1 类型：电压并联负反馈 因 则 反相输入端“虚地”。 因 则 由图 输出电压表达式： 输入电阻 输出电阻 因 因深度电压负反馈 同相放大器 - + A R1 Rf +- vs vo if i1 类型：电压串联负反馈 因 则 注：同相放大器不存在“虚地”。 因 由图 输出电压表达式： 输入电阻 输出电阻 因深度电压负反馈 因 则 同相跟随器 - + A +- vs vo 由图得 因 由于 所以，同相跟随器性能优于射随器。 归纳与推广 当 R1 、Rf 为线性电抗元件时，在复频域内： 反相放大器 同相放大器 拉氏反变换 得 注：拉氏反变换时 加、减运算电路 反相加法器 - + A R2 Rf +- vs2 vo if i2 R1 i1 +- vs1 因 则 因 i ? 0 则 即 整理得 说明：线性电路除可以采用“虚短、虚断”概念外，还可采用 叠加原理进行分析。 令 vs2 0 则 令 vs1 0 则 例如 集成运放应用电路 同相加法器 - + A R2 Rf +- vs1 vo R1 +- vs2 R3 利用叠加原理： 则 减法器 Rf - + A R3 vs1 vo R2 vs2 R1 令 vs2 0， 则 令 vs1 0， 积分和微分电路 有源积分器 - + A R C +- vs vo 方法一：利用运算法则 则 方法二：利用拉氏变换 拉氏反变换得 有源微分器 利用拉氏变换： 拉氏反变换得 - + A R C +- vs vo 波形变换 t vs O 输入方波 积分输出三角波 vo t O 微分输出尖脉冲 t vo O 对数、反对数变换器 对数变换器 - + A R +- vs vo 利用运算法得： 由于 整理得 缺点： vo 受温度影响大、动态范围小。 vs 必须大于 0。 改进型对数变换器 VCC -+ A1 +- vs vo +- A2 +- RL R3 R4 t vB2 R2 R5 T1 T2 R1 iC2 iC1 由图 由于 很小 则 T1、T2特性相同 利用 R4 补偿 VT，改善温度特性。 vS 大范围变化时， vO 变化很小。 反对数变换器 利用运算法则得 由于 整理得 缺点： vo 受温度影响大。 vs 必须小于 0 , - + A R +- vs vo T 乘、除法器 vO1 -+ A1 vX RX iX R1 iX T1 vO2 -+ A2 vY RY iY R2 iY T2 -+ A4 T4 iO vO R4 iO -+ A3 R3 vO3 T3 vZ RZ iZ iZ 因 T1、T2、T3、T4 构成跨导线性环， 则 分析方法一： 由图 整理得 实现乘、除运算 vo1 -+ A1 vX