第3章集成电路制造工艺技巧.ppt

集成电路设计技术与工具 ;本章基本要求：;内容提要;3.1 引言 填空题;3.2 集成电路基本加工工艺;3.2.1 外延生长;3.2.2 掩膜的制版工艺;掩膜制造 掩膜版可分成：整版及单片版 整版是指晶圆上所有的集成电路芯片的版图都是有该掩膜一次投影制作出来的。各个单元的集成电路可以不同。 单片版 是指版图只对应晶圆上的一个单元。其他单元是该单元的重复投影。晶圆上各个芯片是相同的。 早期掩膜制造是通过画图照相微缩形成的。 光学掩膜版是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层60~80nm厚的铬，使其表面光洁度更高，这称之为铬版（Cr mask），通常也称为光学（掩膜）版。 新的光刻技术的掩膜版与光刻技术有关。;3.2.3 光刻;;3.2.4 掺杂;离子注入法掺杂 离子注入掺杂也分为两个步骤：离子注入和退火再分布。 ;3.2.5 绝缘层形成;氧化隔离示意图;3.2.6 金属层形成;3.4 CMOS集成电路的基本制造工艺;3.4.1 P阱CMOS工艺;3.4.2 N阱CMOS工艺;3.4.3 双阱CMOS工艺;1衬底准备：衬底氧化后，在二氧化硅上生长氮化硅 ;5 有源区衬底氧化;9 P阱中的NMOS管光刻和注入硼并扩散，形成N+版 ;13 淀积铝，反刻铝，形成铝连线 ;3.4.4 MOS工艺的自对准结构;3.7 集成电路工艺CAD;3.7.1器件模拟 可能出题目;器件模拟的基本原理： 器件模拟实际上就是利用数值求解方法，根据给定的边界条件来求解基本方程。器件的基本方程包括：泊松方程、电子和空穴连续性方程、热扩散方程、电子和空穴的漂移/扩散方程（能量输运方程）。通过对这些方程的数值求解，能够得到器件性能的基本参数，包括：静电场、电子和空穴的浓度、电子和空穴温度、器件的晶格温度等。由于这些需要求解的方程大多数是微分方程和偏微分方程，在数值求解时必须将器件分成细小的方格，即网格化，利用连续性方程和边界条件得到非线性方程组，通过数值方法(Newton方法、Gummel方法)数值求解。;能够模拟的结构： 器件模拟可以用来模拟我们能够见到的绝大多数器件，包括各种二极管、各种双极型晶体管、各种场效应器件、MOS电容器、多层结构器件、光电器件、可编程器件等。器件模拟还可以模拟一些新型器件。可以说只要具有器件原型，就可以通过设计和优化比较来对器件进行合理的模拟分析。 能模拟的材料： 由于形成不同器件所用的材料不同，器件模拟软件可以处理构成器件的几乎全部的导体，半导体和绝缘体，包括Si、α-Si、多晶硅、SiO2、InP、GaAs、AlGaAs、GaAsP、InGaP、InAsP、AlInAs、Ge、SiC、金刚石、ZnSe、ZnTe、Al、Au、Cu、Mu、W、合金等等。;器件模拟能够进行的电学分析和能够获得的电学特性：器件模拟软件可以进行器件的稳态和瞬态分析、直流和交流信号分析、热载流子分析、可编程器件的FN电流分析、光电分析、深能级态和寿命分析、光电特性分析、晶格温度分析、自加热效应等现象等等。 器件模拟能够得到的电学参数有：端特性，如：端电流密度与偏压的关系; 带回扫的端电流与偏压的关系;器件截止频率与偏压的关系; S参数; 结电容与偏压的关系; MOS电容与偏压的关系; 硅基MOS电容器Si/SiO2界面中及衬底中的各类载流子（电子、空穴、净电荷）与偏压的关系; 器件栅电流与偏压的关系；光照的直流响应等等；器件内部特性，如：掺杂浓度以及载流子的内部分布、载流子密度和电流密度的内部分布、电场电势分布、载流子寿命在器件内的分布、深能级在器件内部的分布、迁移率和电导率在器件内部的分布、载流子温度在器件内的分布、能带图随器件深度的变化、载流子注入在内部的分布等等；电学参数，如：给定偏压的薄层电阻、器件的特征参数（MOS的阈值电压、亚阈斜率等）、截面电阻、电极上净电荷、界面总电子或空穴密度、集总复合速率、集总载流子浓度等等。 ;器件模拟使用的模型则是通过对器件进行物理机制的分析提出的，例如复合机制、产生机制、碰撞离化机制、带--带隧穿、迁移率模型、重掺杂引起的禁带变窄、速度过冲、热载流子注入机制、热离化机制等等，其中，复合机制包括SRH复合、Auger复合、直接复合、表面复合等; 迁移率模型则需要考虑低场迁移率、高场迁移率以及表面散射、非局域电场等因素的影响。在部分器件还需考虑杂质电离不完全、光电互连情况等。部分小尺寸器件使用Monto-Carlo方法和量子力学修正求解，必要时需要考虑费米统计、Dirac统计以及Boltzman统计等等。 器件模拟需要输入器件结构、材料成分、掺杂分布、偏置条件等器件参数信息，选择必要的数值方法对需要获得的特性进行求解和分析，并选择文本或图像的方式输出，以便查看和分析。;3.7.2 工艺模拟;因此，通过工