第2章点探测器技巧.ppt

第2章 点探测器 ;2.1 光 电 管;图 2.1-1 光电管及偏置电路 ; 2.1.1 光阴极材料及其光谱响应 我们已经知道， 光阴极光谱响应的截止波长λc由式(1.1-4)决定， 即 ; 实际上， 光电子从光阴极内部逸出表面经过三个过程： (1) 光阴极内部电子吸收光子能量， 被激发到真空能级以上的高能量状态； (2) 这些高能量的光电子在向表面运动的过程中， 受到其它电子碰撞、 散射而失去一部分能量； (3) 光电子到达表面时还要克服表面势垒才能最后逸出。 ; 因此， 一个良好的光阴极应该满足三个条件： (1) 光阴极表面对光辐射的反射小而吸收大； (2) 光电子在向表面运动中受到的能量散射损耗小； (3) 光阴极表面势垒低， 电子逸出概率大。 ; 许多金属和半导体材料虽然都能产生光电效应， 但依据上述原则， 金属和半导体材料相比光电发射效率要低得多， 因而光阴极通常都采用半导体材料。 半导体材料光阴极又分为正电子亲和势(亦称经典光阴极)和负电子亲和势(NEA阴极)两种类型。 NEA光阴极是当前性能最好的光阴极。 为了有一个明确的物理概念， 结合图2.1-2来说明两种光阴极类型之间的主要差别。 ; 图 2.1-2 典型光阴极能级示意图 (a) 金属； (b) 理想半导体； (c) 正电子亲和势； (d) 负电子亲和势; 对于金属情况， 见图2.1-2(a)。 金属内的“冷”电子(即光电子)发射来源于费米能级EF附近。 光电发射阈值定义为电子真空能级E0与EF之差， 即 Eφ=E0-EF (2.1-2) 对半导体材料， 见图2.1-2(b)， 半导体内“冷”电子发射来源于价带EV附近， 因此表面处的Eφ为 Eφ=EA+Eg (2.1-3) 式中Eg为禁带宽度， EA为E0和导带EC之差， 称为电子亲和势。 ; 由半导体物理可知， 实际的半导体能级在半导体表面附近要发生弯曲， 见图2.1 - 2(c)。 这时EA定义为E0与表面处导带底EC之差。 考虑到导带在表面处的弯曲量用ΔE表示， 于是体内光电子的有效电子亲合势变为 EAe=EA-ΔE (2.1-4) 通常所说的电子亲合势就指的是EAe， 这样， 半导体材料的光电发射阈值变为 Eφ=Eg+EAe (2.1-5); 1. 银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极 银氧铯阴极是最早出现的实用光电阴极。 目前， 除了Ⅲ-Ⅴ族材料的光电阴极外，它仍然是在近红外区具有使用价值的惟一阴极。 ; 银氧铯阴极是以Ag为基底， 氧化银为中间层， 上面再有一层带有过剩Cs原子及Ag原子的氧化铯， 而表面由Cs原子组成， 可用［Ag］-Cs2OAgCs-Cs的符号表示， 如图2.1-3(a)所示。 有一些光电器件也有不用氧化而用硫化， 或以碱金属代替铯原子， 其目的都是希望得到高的响应度及合适的光谱响应范围。 ; 图 2.1-3 银氧铯光电阴极 (a) 结构； (b) 光谱相应曲线; Ag-O-Cs光电阴极的光谱响应曲线如图2.1-3(b)所示。 它的长波灵敏度延伸至红外1.2 μm， 并且有两个峰值， 近红外800 nm处有一主峰， 另一主峰处于紫外350 nm。 Ag-O-Cs光电阴极的灵敏度较低, 其光照灵敏度约为30 μA/lm， 辐照灵敏度为3 mA/W， 量子效率在峰值波长处也只有1%； 它的热电子发射密度在室温下超过任何其它实用阴极， 约为10-11~10-14 A/cm2。 ; 2. 单碱锑化物光电阴极 金属锑与碱金属锂、 钠、 钾、 铷、 铯中的一种化合， 都能形成具有稳定光电发射的发射体LiSb、 NaSb、 KSb、