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*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;在Si或SiO2衬底上由WF6沉积W:;*;*;*;*;*;并不能立刻看出沉积Si薄膜最为适宜的沉积温度是多少,但从各曲线的走势上可以知道,气相中Si的含量在1300K以上时开始明显下降,这表明,高于1300K的沉积温度对Si的快速沉积可能是较为有利的。;*;CVD动力学分析
CVD模型(Grove模型)
薄膜的生长过程取决于气体与衬底间界面的相互作用,可能涉及以下几个步骤:
(1)反应气体从入口区域流动到衬底表面的淀积区域
(2)气相反应导致膜先驱物(组成膜最初的原子或分
子)和副产物的形成
(3)膜先驱物附着在衬底表面;CVD动力学分析
CVD模型(Grove模型)
(4)膜先驱物粘附在衬底表面
(5)膜先驱物向膜生长区域的表面扩散
(6)吸附原子(或分子)在衬底表面发生化学反应导
致膜淀积和副产物的生成
(7)气态副产物和未反应的反应剂扩散离开衬底表面
(8)副产物排出反应室(进入主气流区被排除系统);CVD 反应室; CVD过程主要受两步工艺过程控制:
(1)气相输运、气相反应过程;
(2)表面吸附、表面反应过程。
1966年Grove建立了一个简单的CVD模型。认为控制薄膜沉积速率的两个主要因素是:
(1)反应剂在边界层中的输运过程。
(2)反应剂在衬底表面上的化学反应过程。;*;*;边界层厚度:从速度为零的硅片表面到气流速度为 0.99V0(气流最大速度)时的区域厚度。;*;*;*;*;*;*; 气体的温度差别会导致气体产生自然对流。当容器上部的温度较低、下部的温度较高时,气体会通过自然对流使热气体上升,冷气体下降。
如图4.9所示,在1000K的衬底与300K的容器壁之间会出现不同的气流方向。在低温的容器壁附近,气体的流动方向是向下的,但在容器中心,气流的方向是向上的, 这会影响气体流动的均匀性,进而影响薄膜沉积的均匀性。提高气体的流动速度,可以在一定程度上抑制自然对流的发生,如图4.9容器左侧所画出的那样。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*; 与热CVD的情况相似,在衬底表面上发生的具体沉积过程也可以被分解为表面吸附、表面反应以及脱附等一系列的微观过程。同时,沉积过程中还涉及到离子、电子轰击衬底造成的表面活化、衬底温度升高引起的热激活效应等。;*;*; 在PECVD的情况下,只有在接近等离子体的一定距离范围内才可能有薄膜的沉积,因此,二极直流辉光放电PECVD薄膜的沉积一般发生在放置于电极之上的衬底上。衬底放置在阴极还是放置在阳极上,取决于薄膜所需要的离子轰击强度。例如,在PECVD沉积非晶Si薄膜的情况下,离子的轰击会造成薄膜中缺少H原子的键合,使薄膜内含有较多的悬键。这造成阴极上沉积的薄膜的半导体特性较差;相反,阳极上沉积的非晶Si薄膜未受到离子轰击的影响,在薄膜内含有较多的H。它们在薄膜中与Si原子发生键合,客观上起到了减少禁带内束缚态的缺陷能级的作用。因此,阳极上沉积的非晶Si薄膜具有较好的半导体特性。另外,离子轰击效应具有提高薄膜中压应力的作用,因此,若需要抵消薄膜中的拉应力的话,可以考虑将衬底放置在阴极上。
; 为了提高衬底表面辉光放电等离子体的均匀性,需要两极的直径要大于两极的间距。在衬底面积较大的情况下,需要用在电极表面开出一系列气孔并送入反应气体的方法,提高气体分布的均匀性。但这种气孔的直径应该远远小于等离子体的鞘层厚度,以避免??响等离子体的空间均匀性。
高温的热金属丝在其周围也可以激发出等离子体,起到产生气相活性基团的作用。而使用空心阴极放电装置,则可以产生密度较高的等离子体;这些装置和其产生的等离子体都可以被用于促进薄膜的CVD过程。;*;*;*;*;*;*;电子回旋共振(ECR)PECVD,微波能量由波导耦合进入反应容器后,使得通过其中的反应气体放电击穿而产生等离子体。为了促进等离子体中电子从微波场中吸收能量,在装置中还设置了磁场线圈以产生与微波电场相垂直的磁场。电子在微波场和磁场的共同作用下发生回旋共振现象,即它在沿气流方向运动的同时,还按照共振的频率发生回旋运动。电子在做回旋运动的同时,将与气体分子发生不断的碰撞和能量交换,井使后者发生电离。;ECR-CVD特点:
ECR装置本身就是一个方向和能量可控的离子源,用ECR方法制备的薄膜对形状复杂的衬底的覆盖性能较好。
在ECR方法中,每个沉积离子均携带着几个电子伏的能量,因此具有溅射沉积方法的优点,即所制备的薄膜有较高的密度,有
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