哈工大微电子工艺06化学气相淀积探析.ppt

第6章 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition);第6章 化学气相淀积 (CVD);6.1 CVD模型;6.1.1 CVD过程;CVD的化学反应条件;6.1.2 边界层理论;边界层（附面层，滞流层） 边界层厚度 雷诺数 Re2000为层流;生长动力学 从简单的生长模型出发，用动力学方法研究化学气相淀积推导出生长速率的表达式及其两种极限情况;hg 是质量输运系数（cm/sec）;设;Y一定时， G 由hg和ks中较小者决定 1、如果hgks，则Cs≈Cg-----表面化学反应速率控制过程，有 2、如果hgks，则CS≈0----质量传输速率控制过程， 有 质量输运控制，对温度不敏感;反应剂浓度对生长速率影响;温度的影响--两种极限情况;气流速率与温度对淀积速率的影响;Grove模型的指导作用和局限;6.2 CVD淀积系统;6.2.1 CVD淀积系统设备;CVD的源;6.2.2 CVD反应室热源;6.2.3 APCVD;三种APCVD系统原理图;APCVD;斜率与激活能Ea成正比; 6.2.4 LPCVD Low PressureCVD ;气缺现象解决方法;低压化学气相淀积 （LPCVD）;;增加产率 — 晶片可直插放置许多片（100-200） 工艺对温度灵敏,但是采用温度控制好的热壁式系统可解决温度控制问题 气流耗尽仍是影响均匀性的因素，可以设定温差5～25 ?C，或分段进气;Batch processing：同时100-200片 薄膜厚度均匀性好 可以精确控制薄膜的成份和结构 台阶覆盖性较好 低温淀积过程 淀积速率快 生产效率高 生产成本低;采用射频等离子体把电能耦合到气体中，促进化学反应在较低温度下进行。 射频功率使反应器中低压气体非平衡辉光放电。衬底吸附等离子体内活泼的中性原子团与游离基，在表面发生化学反应生成薄膜物质，并不断受到离子和电子轰击，容易迁移、重排，使得淀积薄膜均匀性好，填充小尺寸结构能力强。 淀积速率是表面反应控制，精确控制衬底温度：温度变化对薄膜厚度均匀性影响很大。;PECVD设备;影响PECVD薄膜淀积速率因素;金属有机物气相淀积（MOCVD） ;激光诱导化学气相淀积（LCVD）;6.3 多晶硅(Poly-Si)薄膜;多晶硅电学特性;6.3.2 多晶硅薄膜用途;6.3.3 Poly-Si薄膜制备工艺;Poly-Si淀积速率的影响因素;Poly-Si掺杂;6.4 二氧化硅薄膜;对SiO2膜要求;CVDSiO2特性;6.4.2 工艺方法;PECVD SiO2;TEOS （正硅酸四乙酯） 为源的低温PECVD;2 中温CVD SiO2;TEOS与O3混合源的SiO2淀积;6.4.2 台阶覆盖（保形性）;到达角（arrival angle） 在二维空间内，对表面任一点在θ~ θ+dθ角度内到达该点的反应剂数量为P(θ)d(θ) 常压，气体分子之间的相互碰撞使速度矢量完全随机化，则 P(θ)为 常数 当P(θ) ≠0，薄膜厚度正比于到达角的取值范围 ;;6.4.4 PSG、BPSG薄膜;PSG回流;BPSG（B2O3-P2O5-SiO2）;6.5 氮化硅薄膜;6.5.1与二氧化硅比较;与二氧化硅比较;6.5.2 氮化硅工艺;LPCVD氮化硅工艺;PECVD氮化硅薄膜;PECVD SiXNY;6.6 金属类CVD薄膜;CVD W 工艺;W填充接触孔与通孔工艺 表面原位预清洁处理----去氧化物 淀积接触层----溅射或CVDTi膜 淀积附着/阻挡层----溅射或CVDTiN膜 覆盖式CVDW淀积 W膜的回刻 附着层和接触层的刻蚀 ;;实际CVD;6.7 薄膜检测;薄膜内应力;本章重点