soc工艺课件ch7化学气相淀积技术方案.pptVIP

微电子制造工艺概论;7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜;7.1CVD概述 ;气压分类 常压化学气相淀积（APCVD, Atmospheric pressure chemical vapor deposition ） 低压化学气相淀积（LPCVD, Low pressure chemical vapor deposition ） 反应激活能分类 等离子增强化学气相淀积（PECVD, Plasma enhanced chemical vapor deposition ） 金属有机物化学气相淀积（MOCVD, Metal-Organic chemical vapor deposition ） 激光诱导化学气相淀积（LCVD , Laser chemical vapor deposition ） 微波等离子体化学气相淀积（MWCVD, Microwave assisted chemical vapor deposition ） 温度分类 低温CVD 中温CVD 高温CVD;7.2CVD工艺原理;7.2.1薄膜淀积过程;CVD反应室内的流体动力学 反应室工作气体是常压或初真空度，分子平均自由程远小于反应室尺寸，主气流区是层流状态，气体有稳定流速。