模拟电子之半导体器件解读.pptVIP

第1章 半导体器件;;;本征半导体(intrinsic semiconductor) 成分纯净、结构完整的半导体。;;;杂质半导体;N型半导体(N-type semiconductor);;PN结;;;PN结的伏安特性;半导体二极管 二极管基本结构 ;;点接触型半导体二极管实物照片;面接触型半导体二极管实物照片;二极管的伏安特性;反向特性;温度的影响;二极管的电路模型;;反向电流IR：二极管未被击穿时，流过二极管的反向电流。;稳压二极管 一种特殊的硅二极管; 允许通过较大的反向电流; 反向击穿电压比普通二极管低得多; 在电路中可起稳压的作用;; 稳压二极管的特性;稳压二极管的主要参数;;; BJT结构特点：;晶体管电流分配及放大原理;由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 ;;输入特性曲线;输出特性曲线;截止区;饱和区;放大区;晶体管的主要参数;极间反向电流;集－射反向击穿电压U(BR)CEO;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;二极管电路如图，D1、D2为理想二极管，试画出?10V? ui ?10V范围内的电压传输特性曲线。;“或”门电路;+;发射结反向偏置, 集电结反向偏置, 三极管工作在截止区, 可调换VBB极性。;VBB = iB Rb +