第八章平面电磁波技术方案.ppt

以三种 3 层介质为例，定义介质②中任一点的合成电场与合成磁场之比称为该点的输入波阻抗，以 Zin 表示， 已知介质②中合成电场为 Zc1 Zc2 Zc3 -l O z ① ② ③ 式中，R23 为介质②和③之间的边界上 z 0 的反射系数，即 即 介质②中的合成磁场可以表示为 求得 在 边界上合成电场及合成磁场应该连续，得 第一条边界上总反射系数定义为 式中 对于第1层介质，第2层及第3层介质可以看作为波阻抗为 Zin ?l 的一种介质。 上述方法的理念是，仅考虑后置介质的总体影响，不关心其内部结构 。 已知第2层介质的厚度和电磁参数以及第3介质的电磁参数即可求出输入波阻抗Zin ?l 。 首先求出第 n?2 条边界处向右看的输入波阻抗 ，则对于第 n?2 层介质，可用波阻抗为 的介质代替第 n?1 层及第 n 层介质。 Zc1 Zc2 Zc3 n-2 n-1 3 2 1 Zc n-2 Zc n-1 Zc n 依次类推，自后向前逐一计算各条边界上向后看的输入波阻抗，直至求得第一条边界上向后看的输入波阻抗后，即可计算总反射系数。 Z1 Z1 Z2 Z3 Z1 Z2 Z1 Zn Z3 Z2 Zn-1 Zn-2 Z1 Z3 Z2 Zn-2 例 设两种理想介质的波阻抗分别为Z1 与Z2 ，为了消除边界反射，在两种理想介质中间插