ITO真空溅射镀膜答题.pptVIP

第四章 真空溅射镀膜 ;教学重点：溅射镀膜原理；磁控溅射靶；靶的磁场分布计算；典型镀膜机 ;4.1 溅射技术 ;1）定义： 溅射——用荷能粒子（气体正离子）轰击物体，从而引起物体表面原子从母体中逸出的现象及过程。 被轰击物体处于负电位，故称为“阴极溅射”。 溅射镀膜中，被轰击物体称为“靶”。 2) 理论 蒸发论——动能论，温度论； 溅射论——动量论； 混合论。;3）参数 溅射率 η = 溅射出的靶材原子数 / 入射正离子数 影响因素： ①靶材成分——原子序数大，η大； ②入射正离子种类——惰性气体η大，常用氩气Ar； ④正离子入射角度——70~80°时有最大值；P92 Fig 4-4 ⑤靶材温度——低温时η不变，高温时剧增；P92 Fig 4-5 ;4）特点： ①可控性好，重复性好； ②膜的附着强度高：溅射粒子能量高几~十几eV，对比 蒸发粒子0.几eV； 可形成伪扩散层； 等离子体的清洗和激活基体表面作用； 附着不牢的粒子被清除掉。 ③膜材成分广泛：靶材种类——块体、颗粒、粉体；单质、化合物、混合物； 膜材成分——单质膜、化合物膜、混合物膜、多层膜、反应膜； ④组分基本不变，偏析小，不受熔点限制； ⑤成膜速率比蒸发