LDMOS的可靠性答题.pptVIP

LDMOS的可靠性研究;研究内容;高可靠性P_LDMOS研究;P-LDMOS的纵向剖视图;1、 沟道下的电场分析;关闭态下，界面处存在两个电场峰值。第一个峰值在沟道左端,沟道与漂移区形成的p-n结处;第二个峰值在漂移区的场板端点正下方. 关闭态下，沟道下的电场峰值远小于漂移区峰值。因此，沟道不会先于漂移区击穿。;（2）开启态;开启态下，整个表面电场由两个U形曲线连接而成,第一个U形曲线在沟道区,第二个U形曲线在漂移区.第二个U形曲线是由漂移区两边的两个结形成,该U形曲线两个峰值的大小由漂移区浓度决定。 ;LDMOS的漂移区与沟道交界处,即开启态第二个峰值位置,由于两次扩散的杂质高度补偿形成性能非常差的高阻区,再加上此处电场强度较高,很容易产生热载流子,对栅进行轰击,增大栅的漏电流,从而影响器件稳定性与可靠性. 研究发现,产生热载流子效应的很大一部分原因是沟道靠近源端的热载流子注入引起.因此降低热载流子效应,提高器件可靠性,必须降低开启态下第一个U型曲线的两个峰值. ;2、沟道下电场峰值改进方法;随着沟道长度的变大,第一个峰值大小几乎没有变化,而第二个峰值逐渐变小. 由于沟道变长,一方面,相同的电压加在较长的长度上,得到的必然是较小的电场强度;另一方面,防串通n阱与漂移区的p阱两次注入的窗口间的距离增加,使得np-结补偿杂质浓度降低,从而减小此区域的电阻.以上两个原因使第二个峰值电场