半导体光学 ;半导体材料是信息时代的原动力和发动机,是现代高科技的核心与先导。
;半导体材料发展迅速;第二代半导体材料:砷化镓,磷化铟
GaAs是目前最主要的高速和超高速半导体器件
几乎垄断手机制造中的功放器件市场
InP作为光纤通讯的关键光电部件应用在激光源、光纤放大器、多路复用和信号分离器件
第二代半导体材料的主要应用还包括红外激光器和高亮度的红色发光二极管等 ;第三代半导体材料:氮化镓,氧化锌
以高亮蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器的为标志
禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强,以及良好的化学稳定性
;实现半导体照明。国内外倍加关注的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源,将取代目前使用的大部分传统光源,被称为21世纪照明光源的革命,而GaN基高效率、高亮度发光二极管的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。
提高光存储密度。DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长平方成反比,如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器,则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4-5倍,因此,宽禁带半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。
改善军事系统与装备性能。高温、高频、高功率微波器件是雷达、通信等军事领域急需的电子器件,如果目前使用的微波功率管输出功率密度提高一个数量级,微波器件的工作
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