传感器检测技术10第十章详解.ppt

第六节　光电式传感器; 一个电子只能接受一个光子的能量，要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属释放电子所需时间不超过10-9s。 根据能量守恒定理 式中 m—电子质量；v0—电子逸出速度。 ;;光电倍增管及其基本特性;过程：光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，由价带越过禁带进入导带，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。; 材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波长限λ0，只有波长小于λ0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。; 光敏电阻的：管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。光导体吸收光子而产生的光电效应(只限于光照的表面薄层，虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有限)，;　光敏电阻的灵敏度易受湿度影响，要将光电导体严密封装在玻璃壳体中。把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小。 光敏电阻具有很高的灵敏度，很好的光谱特性，光谱响应可从紫外区到红外区范围内。而且体积小、重量轻、性能稳定、价格便宜，应用比较广泛。 ;(2) 光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、光敏三极管。 　①势垒效应(结光电效应)。 接触半导体的PN结中，当光线照射其接触区域时，引起光电动势。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 ; 光电池：将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用下相当于电源，电路中有了光电池不需要外加电源。 (一) 结构与工作原理 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。 实质上是一个大面积的PN结, 当光照射到PN结的一个面, 例如p型面时, 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度, 那么p型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴, 电子空穴对从表面向内迅速扩散, 在结电场的作用下, 最后建立一个与光照强度有关的电动势。 ;命名方式：把光电池的半导体材料的名称冠于光电池(或太阳能电池)之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池。 硅光电池价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受红外光。 硒光电池光电转换效率低(0.02％)、寿命短，适于接收可见光(响应峰值波长0.56μm)，适宜制造照度计。 砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性与太阳光谱吻合。且工作温度高，能承受宇宙射线的辐射。因此，应用在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源。; 光敏二极管 光敏二极管符号如图。锗光敏二极管有A，B，C，D四类；硅光敏二极管有2CU1A～D系列、2DU1～4系列。 光敏二极管的结构与一般二极管相似、装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。在电路中一般是处于反向工作状态。;PIN管光电二极管 PIN管是光电二极管中的一种。在P型半导体和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式τ = CjRL与 f = 1/2π，Cj小，τ则小，频带变宽。;光敏三极管 光敏三极管有PNP型和NPN型两种，结构与一般三极管很相似，具有电流增益，只是它的发射极一边做的很大，以扩大光的照射面积，且基极不接引线。当集电极加上正电压，基极开路时，集电极处于反向偏置状态。当光线照射在集电结的基区时，会产生电子-空穴对，在内电场的作用下，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍。 ;光电耦合器 光电耦合器是由一发光元件和一光电传感器同时封装在一个外壳内组合而成的转换元件。;光电耦合器的组合形式 光电耦合器的组合形式有多种;一、色敏光电传感器;二、光固态图象传感器 由光敏元件阵列和电荷转移器件组成。核心是电荷转移器件，最常用的是电荷耦合器件CCD(Charge Coup